Calculadora Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

✖La concentración de donantes es física de semiconductores y se refiere al número de átomos de impurezas donantes por unidad de volumen de un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%

✖El parámetro del efecto de puerta trasera se refiere a un fenómeno que ocurre en los transistores de efecto de campo, que son dispositivos electrónicos utilizados para amplificación, conmutación y otros fines.ⓘ Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS [γ_p]

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Fórmula

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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Fórmula

`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`

Ejemplo

`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`

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Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Parámetro de efecto de puerta trasera - El parámetro del efecto de puerta trasera se refiere a un fenómeno que ocurre en los transistores de efecto de campo, que son dispositivos electrónicos utilizados para amplificación, conmutación y otros fines.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donantes es física de semiconductores y se refiere al número de átomos de impurezas donantes por unidad de volumen de un material semiconductor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de donantes: 1.9E+20 1 por metro cúbico --> 1.9E+20 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 0.0008 Faradio --> 0.0008 Faradio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Evaluar ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0290154053183929 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Parámetro de efecto de puerta trasera

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Aman Dhussawat

INSTITUTO TECNOLÓGICO GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NUEVA DELHI

¡Aman Dhussawat ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS Fórmula

Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

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