Параметр Backgate Effect в PMOS Калькулятор

✖Концентрация доноров относится к физике полупроводников и относится к количеству атомов донорных примесей в единице объема полупроводникового материала.ⓘ Концентрация доноров [N_d]			+10% -10%
✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%

✖Параметр обратного эффекта относится к явлению, которое происходит в полевых транзисторах, которые представляют собой электронные устройства, используемые для усиления, переключения и других целей.ⓘ Параметр Backgate Effect в PMOS [γ_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Параметр Backgate Effect в PMOS

Формула

`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`

Пример

`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметр Backgate Effect в PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 3 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Параметр эффекта Backgate - Параметр обратного эффекта относится к явлению, которое происходит в полевых транзисторах, которые представляют собой электронные устройства, используемые для усиления, переключения и других целей.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к физике полупроводников и относится к количеству атомов донорных примесей в единице объема полупроводникового материала.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация доноров: 1.9E+20 1 на кубический метр --> 1.9E+20 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Оценка ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0290154053183929 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Параметр эффекта Backgate

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Параметр Backgate Effect в PMOS

Кредиты

Сделано Аман Дуссават

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ

Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

< 14 Улучшение P-канала Калькуляторы

Общий ток стока транзистора PMOS

Идти Ток стока = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Эффект тела в ПМОС

Идти Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока от источника к стоку

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале)

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)

Параметр Backgate Effect в PMOS

Идти Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)

Повышенное напряжение PMOS

Идти Эффективное напряжение = Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение)

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Идти Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале

Ток в инверсионном канале PMOS

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Скорость дрейфа инверсии)

Параметр крутизны процесса PMOS

Идти Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость

Параметр Backgate Effect в PMOS формула

Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!