Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Calculadora

✖A concentração de doadores é a física dos semicondutores e refere-se ao número de átomos de impurezas doadoras por unidade de volume de um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%

✖O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins.ⓘ Parâmetro de efeito Backgate em PMOS [γ_p]

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Fórmula

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Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Fórmula

`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`

Exemplo

`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`

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Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Parâmetro do Efeito Backgate - O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de doadores é a física dos semicondutores e refere-se ao número de átomos de impurezas doadoras por unidade de volume de um material semicondutor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Doadores: 1.9E+20 1 por metro cúbico --> 1.9E+20 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Avaliando ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0290154053183929 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Parâmetro do Efeito Backgate

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Aman Dhussawat

INSTITUTO DE TECNOLOGIA GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NOVA DELHI

Aman Dhussawat criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Fórmula

Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

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