Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Calculatrice

✖La concentration de donneur est la physique des semi-conducteurs et fait référence au nombre d'atomes d'impuretés donneurs par unité de volume d'un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration des donateurs [N_d]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%

✖Le paramètre d'effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l'amplification, la commutation et à d'autres fins.ⓘ Paramètre d'effet de backgate dans PMOS [γ_p]

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Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Formule

`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`

Exemple

`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`

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Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Paramètre d'effet de backgate - Le paramètre d'effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l'amplification, la commutation et à d'autres fins.
Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de donneur est la physique des semi-conducteurs et fait référence au nombre d'atomes d'impuretés donneurs par unité de volume d'un matériau semi-conducteur.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des donateurs: 1.9E+20 1 par mètre cube --> 1.9E+20 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Évaluer ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0290154053183929 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Paramètre d'effet de backgate

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Aman Dhussawat

INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI

Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Formule

Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

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