Backgate-Effektparameter in PMOS Taschenrechner

✖Die Donorkonzentration ist ein Teil der Halbleiterphysik und bezieht sich auf die Anzahl der Donor-Fremdatome pro Volumeneinheit eines Halbleitermaterials.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%

✖Der Parameter „Backgate-Effekt“ bezieht sich auf ein Phänomen, das bei Feldeffekttransistoren auftritt, bei denen es sich um elektronische Geräte handelt, die zur Verstärkung, zum Schalten und für andere Zwecke verwendet werden.ⓘ Backgate-Effektparameter in PMOS [γ_p]

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Formel

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Backgate-Effektparameter in PMOS

Formel

`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`

Beispiel

`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`

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Backgate-Effektparameter in PMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Backgate-Effekt-Parameter - Der Parameter „Backgate-Effekt“ bezieht sich auf ein Phänomen, das bei Feldeffekttransistoren auftritt, bei denen es sich um elektronische Geräte handelt, die zur Verstärkung, zum Schalten und für andere Zwecke verwendet werden.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration ist ein Teil der Halbleiterphysik und bezieht sich auf die Anzahl der Donor-Fremdatome pro Volumeneinheit eines Halbleitermaterials.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Spenderkonzentration: 1.9E+20 1 pro Kubikmeter --> 1.9E+20 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox --> sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008

Auswerten ... ...

γ_p = 0.0290154053183929

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0290154053183929 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0290154053183929 ≈ 0.029015 <-- Backgate-Effekt-Parameter

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE (GTBIT), NEU-DELHI

Aman Dhussawat hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))

Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)

Körpereffekt in PMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)

Backgate-Effektparameter in PMOS

Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

Strom im Inversionskanal von PMOS

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Ladung der Inversionsschicht in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)

Übersteuerungsspannung von PMOS

Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Backgate-Effektparameter in PMOS Formel

Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität
γ_p = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N_d)/C_ox

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