Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)
Esta fórmula usa 6 Variables
Variables utilizadas
Corriente de puerta - (Medido en Amperio) - La corriente de compuerta se define como cuando no hay voltaje entre la compuerta y los terminales de la fuente, no fluye corriente en el drenaje excepto la corriente de fuga, debido a una impedancia muy alta de la fuente del drenaje.
Potencia estática CMOS - (Medido en Vatio) - La potencia estática CMOS se define como la corriente de fuga debido al muy bajo consumo de energía estática en los dispositivos CMOS.
Voltaje base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Corriente subumbral - (Medido en Amperio) - La corriente subumbral es una fuga subumbral a través de transistores APAGADOS.
Contención actual - (Medido en Amperio) - La corriente de contención se define como la corriente de contención que ocurre en los circuitos proporcionales.
Corriente de unión - (Medido en Amperio) - La corriente de unión es una fuga en la unión de las difusiones de fuente/drenaje.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Potencia estática CMOS: 67.37 milivatio --> 0.06737 Vatio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje base del colector: 2.02 Voltio --> 2.02 Voltio No se requiere conversión
Corriente subumbral: 1.6 Miliamperio --> 0.0016 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Contención actual: 25.75 Miliamperio --> 0.02575 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Corriente de unión: 1.5 Miliamperio --> 0.0015 Amperio (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)
Evaluar ... ...
ig = 0.00450148514851485
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00450148514851485 Amperio -->4.50148514851485 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
4.50148514851485 4.501485 Miliamperio <-- Corriente de puerta
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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17 Métricas de potencia CMOS Calculadoras

Puertas en ruta crítica
Vamos Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Fuga por debajo del umbral a través de transistores APAGADOS
Vamos Corriente subumbral = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente de puerta+Contención actual+Corriente de unión)
Corriente de contención en circuitos proporcionales
Vamos Contención actual = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Corriente de puerta+Corriente de unión)
Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta
Vamos Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
Conmutación de salida en carga Consumo de energía
Vamos Conmutación de salida = Consumo de energía de carga capacitiva/(Capacitancia de carga externa*Voltaje de suministro^2*Frecuencia de señal de salida)
Consumo de energía de carga capacitiva
Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga externa*Voltaje de suministro^2*Frecuencia de señal de salida*Conmutación de salida
Relación de rechazo de la fuente de alimentación
Vamos Relación de rechazo de la fuente de alimentación = 20*log10(Ondulación del voltaje de entrada/Ondulación del voltaje de salida)
Poder de conmutación
Vamos Energía de conmutación = Factor de actividad*(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Factor de actividad
Vamos Factor de actividad = Energía de conmutación/(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Conmutación de potencia en CMOS
Vamos Energía de conmutación = (voltaje positivo^2)*Frecuencia*Capacidad
Cambio de energía en CMOS
Vamos Conmutación de energía en CMOS = Energía total en CMOS-Energía de fuga en CMOS
Energía de fuga en CMOS
Vamos Energía de fuga en CMOS = Energía total en CMOS-Conmutación de energía en CMOS
Energía total en CMOS
Vamos Energía total en CMOS = Conmutación de energía en CMOS+Energía de fuga en CMOS
Alimentación de cortocircuito en CMOS
Vamos Energía de cortocircuito = Poder dinámico-Energía de conmutación
Potencia dinámica en CMOS
Vamos Poder dinámico = Energía de cortocircuito+Energía de conmutación
Potencia total en CMOS
Vamos Poder total = Potencia estática CMOS+Poder dinámico
Energía estática en CMOS
Vamos Potencia estática CMOS = Poder total-Poder dinámico

Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta Fórmula

Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)

¿MOSFET es un dispositivo de control de corriente?

El MOSFET, como el FET, es un dispositivo controlado por voltaje. Una entrada de voltaje a la puerta controla el flujo de corriente desde la fuente al drenaje. La puerta no consume una corriente continua.

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