Upływ bramki przez dielektryk bramki Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Wskaźniki mocy CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

✖Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.ⓘ Moc statyczna CMOS [P_st]			+10% -10%
✖Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.ⓘ Podstawowe napięcie kolektora [V_bc]			+10% -10%
✖Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.ⓘ Prąd podprogowy [i_st]			+10% -10%
✖Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.ⓘ Aktualna rywalizacja [i_con]			+10% -10%
✖Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.ⓘ Prąd złącza [i_j]			+10% -10%

✖Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.ⓘ Upływ bramki przez dielektryk bramki [i_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Upływ bramki przez dielektryk bramki

Formuła

`"i"_{"g"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"st"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

Przykład

`"4.501485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("1.6mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wskaźniki mocy CMOS Formuły PDF

Upływ bramki przez dielektryk bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd bramki = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Prąd bramki - (Mierzone w Amper) - Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.
Moc statyczna CMOS - (Mierzone w Wat) - Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.
Podstawowe napięcie kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.
Prąd podprogowy - (Mierzone w Amper) - Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.
Aktualna rywalizacja - (Mierzone w Amper) - Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.
Prąd złącza - (Mierzone w Amper) - Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Moc statyczna CMOS: 67.37 Miliwat --> 0.06737 Wat (Sprawdź konwersję tutaj)
Podstawowe napięcie kolektora: 2.02 Wolt --> 2.02 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd podprogowy: 1.6 Miliamper --> 0.0016 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Aktualna rywalizacja: 25.75 Miliamper --> 0.02575 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd złącza: 1.5 Miliamper --> 0.0015 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

Ocenianie ... ...

i_g = 0.00450148514851485

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00450148514851485 Amper -->4.50148514851485 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.50148514851485 ≈ 4.501485 Miliamper <-- Prąd bramki

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Wskaźniki mocy CMOS » Upływ bramki przez dielektryk bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Wskaźniki mocy CMOS Kalkulatory

Bramy na ścieżce krytycznej

Iść Bramy na ścieżce krytycznej = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^Podstawowe napięcie kolektora))/(Pojemność bramki do kanału*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)

Przełączanie wyjścia przy poborze mocy obciążenia

Iść Przełączanie wyjścia = Pobór mocy obciążenia pojemnościowego/(Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego)

Pojemnościowy pobór mocy obciążenia

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Przełączanie wyjścia

Prąd sporny w obwodach o współczynniku

Iść Aktualna rywalizacja = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Prąd bramki+Prąd złącza)

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Iść Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Upływ bramki przez dielektryk bramki

Iść Prąd bramki = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Przełączanie zasilania

Iść Moc przełączania = Czynnik aktywności*(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Czynnik aktywności

Iść Czynnik aktywności = Moc przełączania/(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Współczynnik odrzucenia zasilania

Iść Współczynnik odrzucenia zasilacza = 20*log10(Tętnienie napięcia wejściowego/Tętnienie napięcia wyjściowego)

Przełączanie zasilania w CMOS

Iść Moc przełączania = (Napięcie dodatnie^2)*Częstotliwość*Pojemność

Przełączanie energii w CMOS

Iść Przełączanie energii w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Energia wycieku w CMOS

Całkowita energia w CMOS

Iść Całkowita energia w CMOS = Przełączanie energii w CMOS+Energia wycieku w CMOS

Energia wycieku w CMOS

Iść Energia wycieku w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Przełączanie energii w CMOS

Moc statyczna w CMOS

Iść Moc statyczna CMOS = Całkowita moc-Moc dynamiczna

Całkowita moc w CMOS

Iść Całkowita moc = Moc statyczna CMOS+Moc dynamiczna

Zasilanie zwarciowe w CMOS

Iść Moc zwarciowa = Moc dynamiczna-Moc przełączania

Moc dynamiczna w CMOS

Iść Moc dynamiczna = Moc zwarciowa+Moc przełączania

Upływ bramki przez dielektryk bramki Formułę

Prąd bramki = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

Czy MOSFET jest urządzeniem sterującym prądem?

MOSFET, podobnie jak FET, jest urządzeniem sterowanym napięciem. Wejście napięcia do bramki steruje przepływem prądu ze źródła do drenu. Brama nie pobiera prądu ciągłego.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!