Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente del cancello - (Misurato in Ampere) - La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata.
Potenza statica CMOS - (Misurato in Watt) - La potenza statica CMOS è definita come la corrente di dispersione dovuta al bassissimo consumo di energia statica nei dispositivi CMOS.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Corrente sottosoglia - (Misurato in Ampere) - La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
Corrente di contesa - (Misurato in Ampere) - La corrente di contesa è definita come la corrente di contesa che si verifica nei circuiti rapportati.
Corrente di giunzione - (Misurato in Ampere) - La corrente di giunzione è la perdita di giunzione dalle diffusioni source/drain.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Potenza statica CMOS: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Controlla la conversione qui)
Tensione del collettore di base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente sottosoglia: 1.6 Millampere --> 0.0016 Ampere (Controlla la conversione qui)
Corrente di contesa: 25.75 Millampere --> 0.02575 Ampere (Controlla la conversione qui)
Corrente di giunzione: 1.5 Millampere --> 0.0015 Ampere (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)
Valutare ... ...
ig = 0.00450148514851485
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00450148514851485 Ampere -->4.50148514851485 Millampere (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
4.50148514851485 4.501485 Millampere <-- Corrente del cancello
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Metriche di potenza CMOS Calcolatrici

Gates sul percorso critico
Partire Cancelli sul percorso critico = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF
Partire Corrente sottosoglia = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Corrente di contesa nei circuiti rapportati
Partire Corrente di contesa = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente del cancello+Corrente di giunzione)
Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate
Partire Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
Commutazione dell'uscita al consumo energetico del carico
Partire Commutazione dell'uscita = Consumo energetico del carico capacitivo/(Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita)
Consumo energetico del carico capacitivo
Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico esterno*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Commutazione dell'uscita
Potenza di commutazione
Partire Commutazione dell'alimentazione = Fattore di attività*(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Fattore di attività
Partire Fattore di attività = Commutazione dell'alimentazione/(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Rapporto di rifiuto dell'alimentatore
Partire Rapporto di reiezione dell'alimentatore = 20*log10(Ondulazione della tensione di ingresso/Ondulazione della tensione di uscita)
Potenza di commutazione in CMOS
Partire Commutazione dell'alimentazione = (Tensione positiva^2)*Frequenza*Capacità
Commutazione dell'energia in CMOS
Partire Commutazione di energia in CMOS = Energia totale nel CMOS-Energia di dispersione nel CMOS
Perdita di energia in CMOS
Partire Energia di dispersione nel CMOS = Energia totale nel CMOS-Commutazione di energia in CMOS
Energia totale in CMOS
Partire Energia totale nel CMOS = Commutazione di energia in CMOS+Energia di dispersione nel CMOS
Potenza di cortocircuito nel CMOS
Partire Potenza di cortocircuito = Potenza dinamica-Commutazione dell'alimentazione
Potenza dinamica nel CMOS
Partire Potenza dinamica = Potenza di cortocircuito+Commutazione dell'alimentazione
Potenza totale nel CMOS
Partire Potere totale = Potenza statica CMOS+Potenza dinamica
Potenza statica nel CMOS
Partire Potenza statica CMOS = Potere totale-Potenza dinamica

Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Formula

Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)

Il MOSFET è un dispositivo di controllo della corrente?

Il MOSFET, come il FET, è un dispositivo controllato in tensione. Un ingresso di tensione al gate controlla il flusso di corrente dalla sorgente allo scarico. Il cancello non assorbe una corrente continua.

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