Vazamento do portão através do dielétrico do portão Calculadora

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✖A energia estática do CMOS é definida como a corrente de fuga devido ao consumo de energia estática muito baixo em dispositivos CMOS.ⓘ Potência estática do CMOS [P_st]			+10% -10%
✖A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.ⓘ Tensão do Coletor Base [V_bc]			+10% -10%
✖A corrente sublimiar é uma fuga sublimiar através dos transistores OFF.ⓘ Corrente Sublimiar [i_st]			+10% -10%
✖A corrente de contenção é definida como a corrente de contenção que ocorre nos circuitos racionais.ⓘ Corrente de contenção [i_con]			+10% -10%
✖Corrente de junção é vazamento de junção de difusões de fonte/dreno.ⓘ Corrente de Junção [i_j]			+10% -10%

✖A corrente da porta é definida como quando não há tensão entre os terminais da porta e da fonte, nenhuma corrente flui no dreno, exceto corrente de fuga, devido a uma impedância dreno-fonte muito alta.ⓘ Vazamento do portão através do dielétrico do portão [i_g]

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Fórmula

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Vazamento do portão através do dielétrico do portão

Fórmula

`"i"_{"g"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"st"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

Exemplo

`"4.501485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("1.6mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

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Vazamento do portão através do dielétrico do portão Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente do portão = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente de Junção)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
Esta fórmula usa 6 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente do portão - (Medido em Ampere) - A corrente da porta é definida como quando não há tensão entre os terminais da porta e da fonte, nenhuma corrente flui no dreno, exceto corrente de fuga, devido a uma impedância dreno-fonte muito alta.
Potência estática do CMOS - (Medido em Watt) - A energia estática do CMOS é definida como a corrente de fuga devido ao consumo de energia estática muito baixo em dispositivos CMOS.
Tensão do Coletor Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.
Corrente Sublimiar - (Medido em Ampere) - A corrente sublimiar é uma fuga sublimiar através dos transistores OFF.
Corrente de contenção - (Medido em Ampere) - A corrente de contenção é definida como a corrente de contenção que ocorre nos circuitos racionais.
Corrente de Junção - (Medido em Ampere) - Corrente de junção é vazamento de junção de difusões de fonte/dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potência estática do CMOS: 67.37 Miliwatt --> 0.06737 Watt (Verifique a conversão aqui)
Tensão do Coletor Base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente Sublimiar: 1.6 Miliamperes --> 0.0016 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Corrente de contenção: 25.75 Miliamperes --> 0.02575 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Corrente de Junção: 1.5 Miliamperes --> 0.0015 Ampere (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

Avaliando ... ...

i_g = 0.00450148514851485

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00450148514851485 Ampere -->4.50148514851485 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

4.50148514851485 ≈ 4.501485 Miliamperes <-- Corrente do portão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Métricas de potência CMOS Calculadoras

Portões no Caminho Crítico

Vai Portões no Caminho Crítico = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^Tensão do Coletor Base))/(Capacitância do portão para o canal*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Vazamento de sublimiar através de transistores OFF

Vai Corrente Sublimiar = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente do portão+Corrente de contenção+Corrente de Junção)

Corrente de Contenção em Circuitos Racionados

Vai Corrente de contenção = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente do portão+Corrente de Junção)

Vazamento do portão através do dielétrico do portão

Vai Corrente do portão = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente de Junção)

Comutação de saída no consumo de energia da carga

Vai Troca de saída = Consumo de energia de carga capacitiva/(Capacitância de Carga Externa*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída)

Consumo de energia de carga capacitiva

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga Externa*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Troca de saída

Fator de atividade

Vai Fator de atividade = Troca de energia/(Capacitância*Tensão do Coletor Base^2*Frequência)

Poder de comutação

Vai Troca de energia = Fator de atividade*(Capacitância*Tensão do Coletor Base^2*Frequência)

Taxa de rejeição da fonte de alimentação

Vai Taxa de rejeição da fonte de alimentação = 20*log10(Ondulação de tensão de entrada/Ondulação da tensão de saída)

Comutação de energia em CMOS

Vai Troca de energia = (Tensão Positiva^2)*Frequência*Capacitância

Energia de comutação em CMOS

Vai Troca de energia no CMOS = Energia total em CMOS-Vazamento de energia no CMOS

Vazamento de energia em CMOS

Vai Vazamento de energia no CMOS = Energia total em CMOS-Troca de energia no CMOS

Energia total em CMOS

Vai Energia total em CMOS = Troca de energia no CMOS+Vazamento de energia no CMOS

Potência de curto-circuito em CMOS

Vai Potência de curto-circuito = Potência Dinâmica-Troca de energia

Potência Dinâmica em CMOS

Vai Potência Dinâmica = Potência de curto-circuito+Troca de energia

Potência total em CMOS

Vai Poder total = Potência estática do CMOS+Potência Dinâmica

Potência estática em CMOS

Vai Potência estática do CMOS = Poder total-Potência Dinâmica

Vazamento do portão através do dielétrico do portão Fórmula

Corrente do portão = (Potência estática do CMOS/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente de Junção)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

O MOSFET é um dispositivo de controle de corrente?

O MOSFET, como o FET, é um dispositivo controlado por voltagem. Uma entrada de tensão para a porta controla o fluxo de corrente da fonte ao dreno. O portão não puxa uma corrente contínua.

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