Poortlekkage door poortdiëlektricum Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-vermogensstatistieken

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖CMOS Static Power wordt gedefinieerd als de lekstroom als gevolg van het zeer lage statische energieverbruik in CMOS-apparaten.ⓘ CMOS statisch vermogen [P_st]			+10% -10%
✖Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.ⓘ Basiscollectorspanning [V_bc]			+10% -10%
✖Subdrempelstroom is lekkage onder de drempelwaarde via UIT-transistoren.ⓘ Subdrempelstroom [i_st]			+10% -10%
✖Conflictstroom wordt gedefinieerd als de conflictstroom die optreedt in de verhoudingscircuits.ⓘ Betwisting actueel [i_con]			+10% -10%
✖Junctiestroom is junctielekkage door source/drain-diffusies.ⓘ Verbindingsstroom [i_j]			+10% -10%

✖Gate Current wordt gedefinieerd als wanneer er geen spanning is tussen de gate- en source-aansluitingen, er geen stroom in de drain vloeit, behalve lekstroom, vanwege een zeer hoge drain-source-impedantie.ⓘ Poortlekkage door poortdiëlektricum [i_g]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Poortlekkage door poortdiëlektricum

Formule

`"i"_{"g"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"st"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

Voorbeeld

`"4.501485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("1.6mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-vermogensstatistieken Formules Pdf

Poortlekkage door poortdiëlektricum Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Poortstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Poortstroom - (Gemeten in Ampère) - Gate Current wordt gedefinieerd als wanneer er geen spanning is tussen de gate- en source-aansluitingen, er geen stroom in de drain vloeit, behalve lekstroom, vanwege een zeer hoge drain-source-impedantie.
CMOS statisch vermogen - (Gemeten in Watt) - CMOS Static Power wordt gedefinieerd als de lekstroom als gevolg van het zeer lage statische energieverbruik in CMOS-apparaten.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Subdrempelstroom - (Gemeten in Ampère) - Subdrempelstroom is lekkage onder de drempelwaarde via UIT-transistoren.
Betwisting actueel - (Gemeten in Ampère) - Conflictstroom wordt gedefinieerd als de conflictstroom die optreedt in de verhoudingscircuits.
Verbindingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Junctiestroom is junctielekkage door source/drain-diffusies.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

CMOS statisch vermogen: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Bekijk de conversie hier)
Basiscollectorspanning: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Geen conversie vereist
Subdrempelstroom: 1.6 milliampère --> 0.0016 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Betwisting actueel: 25.75 milliampère --> 0.02575 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Verbindingsstroom: 1.5 milliampère --> 0.0015 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

Evalueren ... ...

i_g = 0.00450148514851485

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00450148514851485 Ampère -->4.50148514851485 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.50148514851485 ≈ 4.501485 milliampère <-- Poortstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-vermogensstatistieken » Poortlekkage door poortdiëlektricum

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 CMOS-vermogensstatistieken Rekenmachines

Poorten op kritiek pad

Gaan Poorten op kritiek pad = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^Basiscollectorspanning))/(Capaciteit van poort naar kanaal*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren

Gaan Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)

Poortlekkage door poortdiëlektricum

Gaan Poortstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)

Strijdstroom in ratio-circuits

Gaan Betwisting actueel = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Poortstroom+Verbindingsstroom)

Uitgangsschakeling bij stroomverbruik belasting

Gaan Uitgangsschakeling = Stroomverbruik capacitieve belasting/(Externe belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie)

Stroomverbruik bij capacitieve belasting

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Externe belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Uitgangsschakeling

Activiteitsfactor

Gaan Activiteitsfactor = Schakelvermogen/(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)

Schakelvermogen

Gaan Schakelvermogen = Activiteitsfactor*(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)

Voedingsafwijzingsverhouding:

Gaan Afwijzingsratio voeding = 20*log10(Ingangsspanningsrimpel/Uitgangsspanningsrimpel)

Schakelvermogen in CMOS

Gaan Schakelvermogen = (Positieve spanning^2)*Frequentie*Capaciteit

Omschakelen van energie in CMOS

Gaan Schakelenergie in CMOS = Totale energie in CMOS-Lekkage-energie in CMOS

Lekkage-energie in CMOS

Gaan Lekkage-energie in CMOS = Totale energie in CMOS-Schakelenergie in CMOS

Totale energie in CMOS

Gaan Totale energie in CMOS = Schakelenergie in CMOS+Lekkage-energie in CMOS

Statisch vermogen in CMOS

Gaan CMOS statisch vermogen = Totale kracht-Dynamische kracht

Totaal vermogen in CMOS

Gaan Totale kracht = CMOS statisch vermogen+Dynamische kracht

Dynamisch vermogen in CMOS

Gaan Dynamische kracht = Kortsluitvermogen+Schakelvermogen

Kortsluitvermogen in CMOS

Gaan Kortsluitvermogen = Dynamische kracht-Schakelvermogen

Poortlekkage door poortdiëlektricum Formule

Poortstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

Is MOSFET een apparaat voor stroomcontrole?

De MOSFET is, net als de FET, een spanningsgestuurd apparaat. Een spanningsingang naar de poort regelt de stroom van bron naar afvoer. De poort trekt geen continue stroom.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!