Calculadora Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

✖El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).ⓘ Parámetro de transconductancia [K_n]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_gs]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente [i_d]

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Fórmula

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Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Fórmula

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Ejemplo

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

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Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia: 2.95 Miliamperios por voltio cuadrado --> 0.00295 Amperio por voltio cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre puerta y fuente: 3.34 Voltio --> 3.34 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Evaluar ... ...

i_d = 0.017489075

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.017489075 Amperio -->17.489075 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

17.489075 ≈ 17.48907 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Prahalad Singh

Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur

¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

< 18 Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Vamos Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))

Voltaje de entrada Voltaje de señal dado

Vamos Voltaje del componente fundamental = (Resistencia de entrada finita/(Resistencia de entrada finita+Resistencia de la señal))*Pequeño voltaje de señal

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Vamos Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente

Drenar la corriente del transistor

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje del componente fundamental+Voltaje total de drenaje instantáneo)/Resistencia al drenaje

Voltaje de drenaje instantáneo total

Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Transconductancia de amplificadores de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = (2*Corriente de drenaje)/(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)

Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada

Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor

Resistencia de entrada del amplificador de colector común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base

Entrada de amplificador de amplificador de transistores

Vamos Entrada del amplificador = Resistencia de entrada*Corriente de entrada

Resistencia de salida del circuito de puerta común dada la tensión de prueba

Vamos Resistencia de salida finita = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral

Corriente de prueba del amplificador de transistores

Vamos Corriente de prueba = Voltaje de prueba/Resistencia de entrada

Resistencia de entrada del circuito de puerta común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Ganancia de corriente CC del amplificador

Vamos DC ganancia de corriente = Colector actual/Corriente base

< 18 Acciones CV de amplificadores de etapa comunes Calculadoras

Voltaje de salida del transistor de fuente controlada

Vamos Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje = (Ganancia de voltaje*Corriente eléctrica-Transconductancia de cortocircuito*Señal de salida diferencial)*(1/Resistencia final+1/Resistencia del devanado primario en secundario)

Resistencia de entrada del circuito de base común

Vamos Resistencia de entrada = (Resistencia del emisor*(Resistencia de salida finita+Resistencia de carga))/(Resistencia de salida finita+(Resistencia de carga/(Ganancia de corriente base del colector+1)))

Resistencia de salida en otro drenaje del transistor de fuente controlada

Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia del devanado secundario en primario+2*Resistencia finita+2*Resistencia finita*Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia del devanado secundario en primario

Resistencia de salida del amplificador CE degenerado por emisor

Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia de salida finita+(Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia de salida finita)*(1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)

Resistencia de entrada del amplificador de emisor común dada la resistencia de entrada de señal pequeña

Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/(Resistencia de entrada de señal pequeña+(Ganancia de corriente base del colector+1)*Resistencia del emisor))^-1

Resistencia de salida del amplificador CS con resistencia de fuente

Vamos Resistencia al drenaje = Resistencia de salida finita+Resistencia de la fuente+(Transconductancia primaria MOSFET*Resistencia de salida finita*Resistencia de la fuente)

Resistencia de entrada del amplificador de emisor común dada la resistencia del emisor

Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/((Resistencia total+Resistencia del emisor)*(Ganancia de corriente base del colector+1)))^-1

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente

Transconductancia en amplificador de fuente común

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Frecuencia de ganancia unitaria*(Capacitancia de puerta a fuente+Puerta de capacitancia para drenar)

Resistencia de entrada del amplificador de emisor común

Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^-1

Impedancia de entrada del amplificador de base común

Vamos Impedancia de entrada = (1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^(-1)

Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada

Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor

Resistencia de entrada del amplificador de colector común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base

Voltaje fundamental en un amplificador de emisor común

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia de entrada*Corriente base

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral

Resistencia del emisor en amplificador de base común

Vamos Resistencia del emisor = Voltaje de entrada/Corriente del emisor

Corriente del emisor del amplificador de base común

Vamos Corriente del emisor = Voltaje de entrada/Resistencia del emisor

Voltaje de carga del amplificador CS

Vamos Voltaje de carga = Ganancia de voltaje*Voltaje de entrada

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente Fórmula

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

¿Qué es MOSFET y su aplicación?

MOSFET se utiliza para cambiar o amplificar señales. La capacidad de cambiar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o cambiar señales electrónicas. Los MOSFET son ahora incluso más comunes que los BJT (transistores de unión bipolar) en circuitos digitales y analógicos.

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