Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).ⓘ Parametro di transconduttanza [K_n]			+10% -10%
✖La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.ⓘ Tensione attraverso l'ossido [V_ox]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_gs]			+10% -10%

✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.ⓘ Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente [i_d]

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Formula

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Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Formula

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Esempio

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

Calcolatrice

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Scaricamento Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Formule PDF PDF Image

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).
Tensione attraverso l'ossido - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza: 2.95 Milliampere per Volt Quadrato --> 0.00295 Ampere per Volt Quadrato (Controlla la conversione qui)
Tensione attraverso l'ossido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Gate e Source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Valutare ... ...

i_d = 0.017489075

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.017489075 Ampere -->17.489075 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

17.489075 ≈ 17.48907 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

< 18 Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Tensione di uscita del transistor di origine controllata

Partire Componente CC della tensione da gate a sorgente = (Guadagno di tensione*Corrente elettrica-Transconduttanza di cortocircuito*Segnale di uscita differenziale)*(1/Resistenza finale+1/Resistenza dell'avvolgimento primario nel secondario)

Resistenza di ingresso del circuito a base comune

Partire Resistenza in ingresso = (Resistenza dell'emettitore*(Resistenza di uscita finita+Resistenza al carico))/(Resistenza di uscita finita+(Resistenza al carico/(Guadagno corrente base del collettore+1)))

Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario

Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza di ingresso a piccolo segnale

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/(Resistenza di ingresso del segnale piccolo+(Guadagno corrente base del collettore+1)*Resistenza dell'emettitore))^-1

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza dell'emettitore

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/((Resistenza totale+Resistenza dell'emettitore)*(Guadagno corrente base del collettore+1)))^-1

Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+Resistenza alla fonte+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita*Resistenza alla fonte)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1

Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune

Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base

Resistenza dell'emettitore nell'amplificatore a base comune

Partire Resistenza dell'emettitore = Tensione di ingresso/Corrente dell'emettitore

Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune

Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore

Tensione di carico dell'amplificatore CS

Partire Tensione di carico = Guadagno di tensione*Tensione di ingresso

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente Formula

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Cos'è il MOSFET e la sua applicazione?

MOSFET viene utilizzato per la commutazione o l'amplificazione dei segnali. La capacità di modificare la conduttività con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettronici. I MOSFET sono ora ancora più comuni dei BJT (transistor a giunzione bipolare) nei circuiti digitali e analogici.

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