Calculadora Movilidad en Mosfet

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Optimización de materiales VLSI

Diseño VLSI analógico

✖K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.ⓘ k primer [K_p]			+10% -10%
✖La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de la capa de óxido de puerta [C_ox]			+10% -10%

✖La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad en Mosfet [μ_eff]

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Fórmula

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Movilidad en Mosfet

Fórmula

`"μ"_{"eff"} = "K"_{"p"}/"C"_{"ox"}`

Ejemplo

`"0.150922cm²/V*s"="4.502cm²/V*s"/"29.83μF/mm²"`

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Movilidad en Mosfet Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta
μ_eff = K_p/C_ox
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Movilidad en MOSFET - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad en MOSFET se define en función de la capacidad de un electrón de moverse rápidamente a través de un metal o semiconductor, cuando es atraído por un campo eléctrico.
k primer - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - K Prime es la constante de velocidad inversa de la reacción.
Capacitancia de la capa de óxido de puerta - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

k primer: 4.502 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 0.0004502 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la capa de óxido de puerta: 29.83 Microfaradio por milímetro cuadrado --> 29.83 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

μ_eff = K_p/C_ox --> 0.0004502/29.83

Evaluar ... ...

μ_eff = 1.50921890714046E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.50921890714046E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo -->0.150921890714046 centímetro cuadrado por segundo voltio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.150921890714046 ≈ 0.150922 centímetro cuadrado por segundo voltio <-- Movilidad en MOSFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras

Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI

Vamos Densidad de carga de la región de agotamiento masivo = -(1-((Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente+Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje)/(2*Longitud del canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentración de aceptor*abs(2*Potencial de superficie))

Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Voltaje incorporado de unión VLSI

Vamos Voltaje incorporado de unión = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2)

Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI

Vamos Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Voltaje incorporado de unión)/([Charge-e]*Concentración de aceptor))

Capacitancia parasitaria total de la fuente

Vamos Capacitancia parásita de fuente = (Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.*Área de difusión de fuentes)+(Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.*Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral)

Corriente de saturación de canal corto VLSI

Vamos Corriente de saturación de canal corto = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*Capacitancia de óxido por unidad de área*Voltaje de fuente de drenaje de saturación

Corriente de unión

Vamos Corriente de unión = (Energía estática/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de puerta)

Potencial de superficie

Vamos Potencial de superficie = 2*Diferencia de potencial del cuerpo fuente*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca)

Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta

Vamos Longitud de la puerta = Capacitancia de puerta/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Ancho de la puerta)

Capacitancia de óxido de puerta

Vamos Capacitancia de la capa de óxido de puerta = Capacitancia de puerta/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Pendiente subumbral

Vamos Pendiente subumbral = Diferencia de potencial del cuerpo fuente*Coeficiente DIBL*ln(10)

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Capacitancia de la puerta

Vamos Capacitancia de puerta = Cargo del canal/(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje de umbral

Vamos Voltaje umbral = Voltaje de puerta a canal-(Cargo del canal/Capacitancia de puerta)

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo

Vamos Tensión umbral DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar a la fuente potencial+Voltaje umbral

Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa

Vamos Capacitancia de óxido después del escalado completo = Capacitancia de óxido por unidad de área*Factor de escala

Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa

Vamos Espesor del óxido de puerta después del escalado completo = Espesor del óxido de la puerta/Factor de escala

Capacitancia de puerta intrínseca

Vamos Capacitancia de superposición de puerta MOS = Capacitancia de puerta MOS*Ancho de transición

Profundidad de unión después de VLSI de escala completa

Vamos Profundidad de unión después de la escala completa = Profundidad de unión/Factor de escala

Longitud del canal después del VLSI de escala completa

Vamos Longitud del canal después de la escala completa = Longitud del canal/Factor de escala

Ancho del canal después del VLSI de escala completa

Vamos Ancho del canal después de la escala completa = Ancho de banda/Factor de escala

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Movilidad en Mosfet

Vamos Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta

K-Prime

Vamos k primer = Movilidad en MOSFET*Capacitancia de la capa de óxido de puerta

Movilidad en Mosfet Fórmula

Movilidad en MOSFET = k primer/Capacitancia de la capa de óxido de puerta
μ_eff = K_p/C_ox

¿Cómo afecta la movilidad al funcionamiento de CMOS?

La movilidad en CMOS se refiere al movimiento de los portadores de carga (electrones y huecos) en los canales del transistor. Afecta la ganancia y el inventario de corriente del transistor, de ahí el funcionamiento general del circuito CMOS. La movilidad determina la velocidad de conmutación y el voltaje de puerta aplicable de un transistor CMOS.

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