Mobilità in Mosfet calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI

Progettazione VLSI analogica

✖K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.ⓘ K Primo [K_p]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%

✖La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.ⓘ Mobilità in Mosfet [μ_eff]

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Formula

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Mobilità in Mosfet

Formula

`"μ"_{"eff"} = "K"_{"p"}/"C"_{"ox"} `

Esempio

`"0.150922cm²/V*s"="4.502cm²/V*s"/"29.83μF/mm²" `

Calcolatrice

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Mobilità in Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
μ_eff = K_p/C_ox
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Mobilità nei MOSFET - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.
K Primo - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

K Primo: 4.502 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.0004502 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

μ_eff = K_p/C_ox --> 0.0004502/29.83

Valutare ... ...

μ_eff = 1.50921890714046E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.50921890714046E-05 Metro quadrato per Volt al secondo -->0.150921890714046 Centimetro quadrato per Volt Secondo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.150921890714046 ≈ 0.150922 Centimetro quadrato per Volt Secondo <-- Mobilità nei MOSFET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))

Tensione incorporata di giunzione VLSI

Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)

Capacità parassita della sorgente totale

Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)

Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

Corrente di giunzione

Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)

Potenziale di superficie

Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate

Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)

Capacità dell'ossido di gate

Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo

Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Soglia di voltaggio

Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)

Capacità del gate

Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Pendenza sottosoglia

Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala

Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala

Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala

Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala

Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità intrinseca di gate

Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione

Mobilità in Mosfet

Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate

K-Prime

Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Mobilità in Mosfet Formula

Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
μ_eff = K_p/C_ox

In che modo la mobilità influisce sul funzionamento del CMOS?

La mobilità in CMOS si riferisce al movimento dei portatori di carica (elettroni e lacune) nei canali dei transistor. Influisce sul guadagno e sull'inventario corrente del transistor, quindi sul funzionamento complessivo del circuito CMOS. La mobilità determina la velocità di commutazione e la tensione di gate applicabile di un transistor CMOS.

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