Mobiliteit in Mosfet Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖K Prime is de omgekeerde snelheidsconstante van de reactie.ⓘ K Prime [K_p]			+10% -10%
✖De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Capaciteit van Gate Oxide Layer [C_ox]			+10% -10%

✖Mobiliteit in MOSFET wordt gedefinieerd op basis van het vermogen van een elektron om snel door een metaal of halfgeleider te bewegen, wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Mobiliteit in Mosfet [μ_eff]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Mobiliteit in Mosfet

Formule

`"μ"_{"eff"} = "K"_{"p"}/"C"_{"ox"}`

Voorbeeld

`"0.150922cm²/V*s"="4.502cm²/V*s"/"29.83μF/mm²"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Mobiliteit in Mosfet Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
μ_eff = K_p/C_ox
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Mobiliteit in MOSFET - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit in MOSFET wordt gedefinieerd op basis van het vermogen van een elektron om snel door een metaal of halfgeleider te bewegen, wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
K Prime - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - K Prime is de omgekeerde snelheidsconstante van de reactie.
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

K Prime: 4.502 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.0004502 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Capaciteit van Gate Oxide Layer: 29.83 Microfarad per vierkante millimeter --> 29.83 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

μ_eff = K_p/C_ox --> 0.0004502/29.83

Evalueren ... ...

μ_eff = 1.50921890714046E-05

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.50921890714046E-05 Vierkante meter per volt per seconde -->0.150921890714046 Vierkante centimeter per volt seconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.150921890714046 ≈ 0.150922 Vierkante centimeter per volt seconde <-- Mobiliteit in MOSFET

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Mobiliteit in Mosfet

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Mobiliteit in Mosfet Formule

Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
μ_eff = K_p/C_ox

Welke invloed heeft mobiliteit op de werking van CMOS?

Mobiliteit in CMOS heeft betrekking op de beweging van ladingsdragers (elektronen en gaten) in de transistorkanalen. Het beïnvloedt de stroomversterking en inventaris van de transistor, vandaar de algehele werking van het CMOS-circuit. Mobiliteit bepaalt de schakelsnelheid en de toepasselijke poortspanning van een CMOS-transistor.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!