Mobilität in Mosfet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
μeff = Kp/Cox
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Mobilität im MOSFET - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
K Prime - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.
Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
K Prime: 4.502 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.0004502 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität der Gate-Oxidschicht: 29.83 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 29.83 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Auswerten ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.50921890714046E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde -->0.150921890714046 Quadratzentimeter pro Voltsekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.150921890714046 0.150922 Quadratzentimeter pro Voltsekunde <-- Mobilität im MOSFET
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
Gehen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region = -(1-((Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle+Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss)/(2*Kanallänge)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Akzeptorkonzentration*abs(2*Oberflächenpotential))
Body-Effect-Koeffizient
Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
Anschluss integrierte Spannung VLSI
Gehen Eingebaute Anschlussspannung = ([BoltZ]*Temperatur/[Charge-e])*ln(Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration/(Intrinsische Konzentration)^2)
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Gehen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Eingebaute Anschlussspannung)/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
Gehen Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)
Verbindungsstrom
Gehen Kreuzungsstrom = (Statische Leistung/Basiskollektorspannung)-(Strom unterhalb des Schwellenwerts+Konflikt aktuell+Gate-Strom)
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
Gehen Kurzkanal-Sättigungsstrom = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Oberflächenpotential
Gehen Oberflächenpotential = 2*Potenzialdifferenz des Quellkörpers*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration)
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung = Oxidkapazität pro Flächeneinheit*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung
Steilheit unter der Schwelle
Gehen Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)
DIBL-Koeffizient
Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung = Gate-Oxiddicke/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Kapazität
Gehen Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Grenzspannung
Gehen Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)
Gate-Oxid-Kapazität
Gehen Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)
Kanalladung
Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen Kanalbreite nach vollständiger Skalierung = Kanalbreite/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
Gehen Kanallänge nach vollständiger Skalierung = Kanallänge/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kritische Spannung
Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge
Eigene Gate-Kapazität
Gehen MOS-Gate-Überlappungskapazität = MOS-Gate-Kapazität*Übergangsbreite
Mobilität in Mosfet
Gehen Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
K-Prime
Gehen K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht

Mobilität in Mosfet Formel

Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
μeff = Kp/Cox

Wie wirkt sich Mobilität auf die Funktion von CMOS aus?

Unter Mobilität versteht man bei CMOS die Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in den Transistorkanälen. Es beeinflusst die Stromverstärkung und den Strombestand des Transistors und damit die Gesamtfunktion der CMOS-Schaltung. Die Mobilität bestimmt die Schaltgeschwindigkeit und die anwendbare Gate-Spannung eines CMOS-Transistors.

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