Mobilność nośników ładunku Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka półprzewodników

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Prędkość dryfu to średnia prędkość, jaką cząstka osiąga dzięki polu elektrycznemu.ⓘ Prędkość dryfu [V_d]			+10% -10%
✖Natężenie pola elektrycznego odnosi się do siły na jednostkę ładunku, której doświadczają naładowane cząstki (takie jak elektrony lub dziury) w materiale.ⓘ Natężenie pola elektrycznego [E]			+10% -10%

✖Ruchliwość nośników ładunku definiuje się jako wielkość ich prędkości dryfu na jednostkę przyłożonego pola elektrycznego.ⓘ Mobilność nośników ładunku [μ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Mobilność nośników ładunku

Formuła

`"μ" = "V"_{"d"}/"E"`

Przykład

`"2.987165m²/V*s"="10.24m/s"/"3.428V/m"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Mobilność nośników ładunku Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
μ = V_d/E
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Mobilność przewoźników ładunków - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość nośników ładunku definiuje się jako wielkość ich prędkości dryfu na jednostkę przyłożonego pola elektrycznego.
Prędkość dryfu - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu to średnia prędkość, jaką cząstka osiąga dzięki polu elektrycznemu.
Natężenie pola elektrycznego - (Mierzone w Wolt na metr) - Natężenie pola elektrycznego odnosi się do siły na jednostkę ładunku, której doświadczają naładowane cząstki (takie jak elektrony lub dziury) w materiale.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prędkość dryfu: 10.24 Metr na sekundę --> 10.24 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Natężenie pola elektrycznego: 3.428 Wolt na metr --> 3.428 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

μ = V_d/E --> 10.24/3.428

Ocenianie ... ...

μ = 2.98716452742124

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

2.98716452742124 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.98716452742124 ≈ 2.987165 Metr kwadratowy na wolt na sekundę <-- Mobilność przewoźników ładunków

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Mobilność nośników ładunku

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca

Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Długość dyfuzji elektronów

Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Pasmo energetyczne

Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)

Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu dryfu

Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego

Pole elektryczne wywołane napięciem Halla

Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika

Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego

Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Mobilność nośników ładunku Formułę

Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
μ = V_d/E

Który rodzaj nośnika ładunku ma większą mobilność? elektrony czy dziury?

Ruchliwość elektronów jest często większa niż ruchliwość dziur, ponieważ często masa efektywna elektronu jest mniejsza niż masa efektywna dziury. Czasy relaksacji są często tego samego rzędu wielkości dla elektronów i dziur, a zatem nie robią zbyt dużej różnicy.

Który rodzaj nośnika ładunku ma większą mobilność? elektrony lub dziury ”

Ruchliwość elektronów jest często większa niż ruchliwość dziury, ponieważ dość często efektywna masa elektronu jest mniejsza niż efektywna masa dziury. Czasy relaksacji są często tego samego rzędu wielkości dla elektronów i dziur, a zatem nie mają większego znaczenia.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!