Mobilidade de Portadores de Carga Calculadora

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Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A velocidade de deriva é a velocidade média que uma partícula atinge devido a um campo elétrico.ⓘ Velocidade de deriva [V_d]			+10% -10%
✖A intensidade do campo elétrico refere-se à força por unidade de carga experimentada por partículas carregadas (como elétrons ou buracos) dentro do material.ⓘ Intensidade do Campo Elétrico [E]			+10% -10%

✖A Mobilidade dos Portadores de Carga é definida como a magnitude de sua velocidade de deriva por unidade de campo elétrico aplicado.ⓘ Mobilidade de Portadores de Carga [μ]

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Fórmula

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Mobilidade de Portadores de Carga

Fórmula

`"μ" = "V"_{"d"}/"E"`

Exemplo

`"2.987165m²/V*s"="10.24m/s"/"3.428V/m"`

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Mobilidade de Portadores de Carga Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico
μ = V_d/E
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Mobilidade de Portadores de Carga - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A Mobilidade dos Portadores de Carga é definida como a magnitude de sua velocidade de deriva por unidade de campo elétrico aplicado.
Velocidade de deriva - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva é a velocidade média que uma partícula atinge devido a um campo elétrico.
Intensidade do Campo Elétrico - (Medido em Volt por Metro) - A intensidade do campo elétrico refere-se à força por unidade de carga experimentada por partículas carregadas (como elétrons ou buracos) dentro do material.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Velocidade de deriva: 10.24 Metro por segundo --> 10.24 Metro por segundo Nenhuma conversão necessária
Intensidade do Campo Elétrico: 3.428 Volt por Metro --> 3.428 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

μ = V_d/E --> 10.24/3.428

Avaliando ... ...

μ = 2.98716452742124

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.98716452742124 Metro quadrado por volt por segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.98716452742124 ≈ 2.987165 Metro quadrado por volt por segundo <-- Mobilidade de Portadores de Carga

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Mobilidade de Portadores de Carga Fórmula

Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico
μ = V_d/E

Qual tipo de portador de carga tem maior mobilidade? elétrons ou buracos?

A mobilidade do elétron é muitas vezes maior do que a mobilidade do buraco porque, muitas vezes, a massa efetiva do elétron é menor do que a massa efetiva do buraco. Os tempos de relaxação são muitas vezes da mesma ordem de magnitude para elétrons e buracos e, portanto, não fazem muita diferença.

Qual tipo de transportadora de carga tem maior mobilidade? elétrons ou buracos "

A mobilidade do elétron é frequentemente maior do que a mobilidade do buraco porque, muitas vezes, a massa efetiva do elétron é menor do que a massa efetiva do buraco. Os tempos de relaxamento são frequentemente da mesma ordem de magnitude para elétrons e lacunas e, portanto, eles não fazem muita diferença.

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