Calculadora Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

✖El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con MOSFET. VA es proporcional a la longitud del canal L que el diseñador selecciona para un MOSFET.ⓘ Parámetro del dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.ⓘ Longitud del Canal [L]			+10% -10%

✖El voltaje es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.ⓘ Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS [V]

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Fórmula

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Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

Fórmula

`"V" = "V"_{"A"}*"L"`

Ejemplo

`"1.2E^-5V"="4V"*"3μm"`

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Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal
V = V_A*L
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Voltaje - (Medido en Voltio) - El voltaje es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.
Parámetro del dispositivo - (Medido en Voltio) - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con MOSFET. VA es proporcional a la longitud del canal L que el diseñador selecciona para un MOSFET.
Longitud del Canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se puede definir como la distancia entre sus puntos inicial y final, y puede variar mucho según su propósito y ubicación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro del dispositivo: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Longitud del Canal: 3 Micrómetro --> 3E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V = V_A*L --> 4*3E-06

Evaluar ... ...

V = 1.2E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.2E-05 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Voltio <-- Voltaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 17 Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)

Efecto corporal en NMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

NMOS como resistencia lineal

Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))

Drenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

Vamos Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Potencia total suministrada en NMOS

Vamos Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)

Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje

Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal

La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto

Potencia total disipada en NMOS

Vamos Potencia disipada = Drenar corriente en NMOS^2*Resistencia del canal ON

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

Vamos Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal

Capacitancia de óxido de NMOS

Vamos Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS Fórmula

Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal
V = V_A*L

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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