Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Taschenrechner

✖Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.ⓘ Geräteparameter [V_A]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%

✖Spannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit erforderlich ist, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.ⓘ Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS [V]

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Formel

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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Formel

`"V" = "V"_{"A"}*"L"`

Beispiel

`"1.2E^-5V"="4V"*"3μm"`

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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals
V = V_A*L
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Stromspannung - (Gemessen in Volt) - Spannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit erforderlich ist, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.
Geräteparameter - (Gemessen in Volt) - Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Geräteparameter: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V = V_A*L --> 4*3E-06

Auswerten ... ...

V = 1.2E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.2E-05 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Volt <-- Stromspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Formel

Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals
V = V_A*L

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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