Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
V = VA*L
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Tension - (Mesuré en Volt) - La tension est la différence de potentiel électrique entre deux points, qui est définie comme le travail nécessaire par unité de charge pour déplacer une charge de test entre les deux points.
Paramètre de l'appareil - (Mesuré en Volt) - Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre de l'appareil: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
V = VA*L --> 4*3E-06
Évaluer ... ...
V = 1.2E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.2E-05 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.2E-05 1.2E-5 Volt <-- Tension
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
Effet corporel dans NMOS
​ Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))
Courant entrant dans la borne de drain de NMOS
​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)
NMOS comme résistance linéaire
​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension
​ Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2
Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS
​ Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2
Paramètre de processus de fabrication de NMOS
​ Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde
Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective
​ Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2
Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS
​ Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
​ Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
Puissance totale fournie en NMOS
​ Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)
Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current
​ Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension
​ Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
Puissance totale dissipée dans NMOS
​ Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS
​ Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
Capacité d'oxyde de NMOS
​ Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS Formule

Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
V = VA*L

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!