Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Kalkulator

✖Parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z MOSFET. VA jest proporcjonalny do długości kanału L, którą projektant wybiera dla MOSFET.ⓘ Parametr urządzenia [V_A]			+10% -10%
✖Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%

✖Napięcie to różnica potencjałów elektrycznych między dwoma punktami, która jest zdefiniowana jako praca potrzebna na jednostkę ładunku do przeniesienia ładunku testowego między dwoma punktami.ⓘ Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS [V]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Formuła

`"V" = "V"_{"A"}*"L"`

Przykład

`"1.2E^-5V"="4V"*"3μm"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału
V = V_A*L
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie to różnica potencjałów elektrycznych między dwoma punktami, która jest zdefiniowana jako praca potrzebna na jednostkę ładunku do przeniesienia ładunku testowego między dwoma punktami.
Parametr urządzenia - (Mierzone w Wolt) - Parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z MOSFET. VA jest proporcjonalny do długości kanału L, którą projektant wybiera dla MOSFET.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr urządzenia: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3 Mikrometr --> 3E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V = V_A*L --> 4*3E-06

Ocenianie ... ...

V = 1.2E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.2E-05 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Wolt <-- Napięcie

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Formułę

Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału
V = V_A*L

Do czego służy tranzystor MOSFET?

Tranzystor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) jest urządzeniem półprzewodnikowym, które jest szeroko stosowane do celów przełączania i do wzmacniania sygnałów elektronicznych w urządzeniach elektronicznych.

Jakie są rodzaje tranzystorów MOSFET?

Istnieją dwie klasy tranzystorów MOSFET. Jest tryb wyczerpywania i tryb ulepszania. Każda klasa jest dostępna jako kanał typu n lub p, co daje łącznie cztery typy tranzystorów MOSFET. Tryb wyczerpania występuje w N lub P, a tryb wzmocnienia w N lub P.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!