Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS calcolatrice

✖Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.ⓘ Parametro dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%

✖La tensione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.ⓘ Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS [V]

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Formula

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Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Formula

`"V" = "V"_{"A"}*"L"`

Esempio

`"1.2E^-5V"="4V"*"3μm"`

Calcolatrice

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Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
V = V_A*L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.
Parametro dispositivo - (Misurato in Volt) - Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V = V_A*L --> 4*3E-06

Valutare ... ...

V = 1.2E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.2E-05 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Volt <-- Voltaggio

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS Formula

Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
V = V_A*L

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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