Calculadora Vida útil de la recombinación

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✖La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.ⓘ Proporcionalidad para la recombinación [α_r]			+10% -10%
✖La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.ⓘ Concentración de agujeros en la banda de cenefa [p₀]			+10% -10%

✖Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.ⓘ Vida útil de la recombinación [τ_n]

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Fórmula

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Vida útil de la recombinación

Fórmula

`"τ"_{"n"} = ("α"_{"r"}*"p"_{"0"})^-1`

Ejemplo

`"3.6E^-6s"=("1.2e-6m³/s"*"2.3e11/m³")^-1`

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Vida útil de la recombinación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Vida útil de la recombinación - (Medido en Segundo) - Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.
Proporcionalidad para la recombinación - (Medido en Metro cúbico por segundo) - La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.
Concentración de agujeros en la banda de cenefa - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de huecos en la banda de valencia se refiere a la cantidad o abundancia de huecos presentes en la banda de valencia de un material semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Proporcionalidad para la recombinación: 1.2E-06 Metro cúbico por segundo --> 1.2E-06 Metro cúbico por segundo No se requiere conversión
Concentración de agujeros en la banda de cenefa: 230000000000 1 por metro cúbico --> 230000000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

τ_n = (α_r*p₀)^-1 --> (1.2E-06*230000000000)^-1

Evaluar ... ...

τ_n = 3.6231884057971E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.6231884057971E-06 Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

3.6231884057971E-06 ≈ 3.6E-6 Segundo <-- Vida útil de la recombinación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))

Concentración de electrones en estado estacionario

Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Vida útil de la recombinación

Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1

Concentración en Banda de Conducción

Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi

Densidad Efectiva de Estado

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi

Función Fermi

Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Estado de densidad efectiva en la banda de valencia

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)

Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia

Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)

Coeficiente de distribución

Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Concentracion liquida

Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución

Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)

Tasa de generación térmica

Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)

Exceso de concentración de portadores

Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación

Tasa de generación óptica

Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación

Energía de la banda de valencia

Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Energía de banda de conducción

Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Brecha de energía

Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Vida útil de la recombinación Fórmula

Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1

¿Qué es la concentración intrínseca?

La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.

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