Recombinatielevensduur Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.ⓘ Evenredigheid voor recombinatie [α_r]			+10% -10%
✖Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Gaten Concentratie in Valance Band [p₀]			+10% -10%

✖Recombinatie Levensduur de gemiddelde tijd die een overtollige minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.ⓘ Recombinatielevensduur [τ_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Recombinatielevensduur

Formule

`"τ"_{"n"} = ("α"_{"r"}*"p"_{"0"})^-1`

Voorbeeld

`"3.6E^-6s"=("1.2e-6m³/s"*"2.3e11/m³")^-1`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Recombinatielevensduur Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Levensduur recombinatie - (Gemeten in Seconde) - Recombinatie Levensduur de gemiddelde tijd die een overtollige minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.
Evenredigheid voor recombinatie - (Gemeten in Kubieke meter per seconde) - Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.
Gaten Concentratie in Valance Band - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Evenredigheid voor recombinatie: 1.2E-06 Kubieke meter per seconde --> 1.2E-06 Kubieke meter per seconde Geen conversie vereist
Gaten Concentratie in Valance Band: 230000000000 1 per kubieke meter --> 230000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

τ_n = (α_r*p₀)^-1 --> (1.2E-06*230000000000)^-1

Evalueren ... ...

τ_n = 3.6231884057971E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.6231884057971E-06 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.6231884057971E-06 ≈ 3.6E-6 Seconde <-- Levensduur recombinatie

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Recombinatielevensduur

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Recombinatielevensduur Formule

Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1

Wat is intrinsieke concentratie?

De intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!