Tempo de vida de recombinação Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖A proporcionalidade para recombinação é denotada pelo símbolo αr.ⓘ Proporcionalidade para recombinação [α_r]			+10% -10%
✖A concentração de buracos na banda de valência refere-se à quantidade ou abundância de buracos presentes na banda de valência de um material semicondutor.ⓘ Concentração de Buracos na Banda de Valência [p₀]			+10% -10%

✖Recombination Lifetime o tempo médio que um portador minoritário em excesso leva para se recombinar.ⓘ Tempo de vida de recombinação [τ_n]

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Fórmula

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Tempo de vida de recombinação

Fórmula

`"τ"_{"n"} = ("α"_{"r"}*"p"_{"0"})^-1`

Exemplo

`"3.6E^-6s"=("1.2e-6m³/s"*"2.3e11/m³")^-1`

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Tempo de vida de recombinação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tempo de vida de recombinação - (Medido em Segundo) - Recombination Lifetime o tempo médio que um portador minoritário em excesso leva para se recombinar.
Proporcionalidade para recombinação - (Medido em Metro Cúbico por Segundo) - A proporcionalidade para recombinação é denotada pelo símbolo αr.
Concentração de Buracos na Banda de Valência - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de buracos na banda de valência refere-se à quantidade ou abundância de buracos presentes na banda de valência de um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Proporcionalidade para recombinação: 1.2E-06 Metro Cúbico por Segundo --> 1.2E-06 Metro Cúbico por Segundo Nenhuma conversão necessária
Concentração de Buracos na Banda de Valência: 230000000000 1 por metro cúbico --> 230000000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

τ_n = (α_r*p₀)^-1 --> (1.2E-06*230000000000)^-1

Avaliando ... ...

τ_n = 3.6231884057971E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.6231884057971E-06 Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.6231884057971E-06 ≈ 3.6E-6 Segundo <-- Tempo de vida de recombinação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

Concentração de elétrons em estado estacionário

Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso

Energia do elétron dada a constante de Coulomb

Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)

Tempo de vida de recombinação

Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Concentração de Buracos na Banda de Valência

Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)

Concentração na Banda de Condução

Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi

Densidade Efetiva de Estado

Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Concentração Líquida

Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição

Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução

Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Taxa de Geração Térmica

Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Taxa de geração óptica

Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação

Energia da Banda de Valência

Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Diferença de energia

Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Tempo de vida de recombinação Fórmula

Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1

O que é concentração intrínseca?

A concentração intrínseca de portadores é o número de elétrons na banda de condução ou o número de buracos na banda de valência no material intrínseco.

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