Ricombinazione a vita calcolatrice

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✖La proporzionalità per la ricombinazione è indicata dal simbolo αr.ⓘ Proporzionalità per la ricombinazione [α_r]			+10% -10%
✖La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei buchi nella banda di Valance [p₀]			+10% -10%

✖Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.ⓘ Ricombinazione a vita [τ_n]

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Formula

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Ricombinazione a vita

Formula

`"τ"_{"n"} = ("α"_{"r"}*"p"_{"0"})^-1`

Esempio

`"3.6E^-6s"=("1.2e-6m³/s"*"2.3e11/m³")^-1`

Calcolatrice

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Ricombinazione a vita Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Ricombinazione a vita - (Misurato in Secondo) - Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.
Proporzionalità per la ricombinazione - (Misurato in Metro cubo al secondo) - La proporzionalità per la ricombinazione è indicata dal simbolo αr.
Concentrazione dei buchi nella banda di Valance - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Proporzionalità per la ricombinazione: 1.2E-06 Metro cubo al secondo --> 1.2E-06 Metro cubo al secondo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dei buchi nella banda di Valance: 230000000000 1 per metro cubo --> 230000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

τ_n = (α_r*p₀)^-1 --> (1.2E-06*230000000000)^-1

Valutare ... ...

τ_n = 3.6231884057971E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.6231884057971E-06 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.6231884057971E-06 ≈ 3.6E-6 Secondo <-- Ricombinazione a vita

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Ricombinazione a vita Formula

Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
τ_n = (α_r*p₀)^-1

Cos'è la concentrazione intrinseca?

La concentrazione del portatore intrinseco è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di buchi nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

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