Calculadora Resistencia del paralelepípedo rectangular

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✖La resistividad se define como la resistencia ofrecida al flujo de corriente por un conductor de longitud unitaria que tiene un área de sección transversal unitaria.ⓘ Resistividad [ρ]			+10% -10%
✖El espesor de capa se utiliza a menudo para fabricar piezas fundidas para garantizar que la estructura de la pared esté diseñada con la cantidad justa de material.ⓘ Grosor de la capa [t]			+10% -10%
✖El ancho de la capa difundida es la distancia horizontal medida de lado a lado de un tipo de medio específico.ⓘ Ancho de la capa difundida [W]			+10% -10%
✖La longitud de la capa difusa es la distancia medida de un extremo al otro del lado más largo o más largo de un objeto.ⓘ Longitud de la capa difundida [L]			+10% -10%
✖El ancho del rectángulo inferior se utiliza a menudo para describir el lado más corto del rectángulo.ⓘ Ancho del rectángulo inferior [a]			+10% -10%
✖La longitud del rectángulo inferior se utiliza a menudo para describir el lado más largo del rectángulo.ⓘ Longitud del rectángulo inferior [b]			+10% -10%

✖La resistencia es la propiedad de un material que restringe el flujo de corriente eléctrica.ⓘ Resistencia del paralelepípedo rectangular [R]

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Fórmula

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Resistencia del paralelepípedo rectangular

Fórmula

`"R" = (("ρ"*"t")/("W"*"L"))*(ln("a"/"b")/("a"-"b"))`

Ejemplo

`"0.731302Ω"=(("0.062Ω*cm"*"100.5cm")/("4cm"*"25cm"))*(ln("14cm"/"4.7cm")/("14cm"-"4.7cm"))`

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Resistencia del paralelepípedo rectangular Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 7 Variables

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Resistencia - (Medido en Ohm) - La resistencia es la propiedad de un material que restringe el flujo de corriente eléctrica.
Resistividad - (Medido en Ohm Metro) - La resistividad se define como la resistencia ofrecida al flujo de corriente por un conductor de longitud unitaria que tiene un área de sección transversal unitaria.
Grosor de la capa - (Medido en Metro) - El espesor de capa se utiliza a menudo para fabricar piezas fundidas para garantizar que la estructura de la pared esté diseñada con la cantidad justa de material.
Ancho de la capa difundida - (Medido en Metro) - El ancho de la capa difundida es la distancia horizontal medida de lado a lado de un tipo de medio específico.
Longitud de la capa difundida - (Medido en Metro) - La longitud de la capa difusa es la distancia medida de un extremo al otro del lado más largo o más largo de un objeto.
Ancho del rectángulo inferior - (Medido en Metro) - El ancho del rectángulo inferior se utiliza a menudo para describir el lado más corto del rectángulo.
Longitud del rectángulo inferior - (Medido en Metro) - La longitud del rectángulo inferior se utiliza a menudo para describir el lado más largo del rectángulo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Resistividad: 0.062 Ohm Centímetro --> 0.00062 Ohm Metro (Verifique la conversión aquí)
Grosor de la capa: 100.5 Centímetro --> 1.005 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho de la capa difundida: 4 Centímetro --> 0.04 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la capa difundida: 25 Centímetro --> 0.25 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho del rectángulo inferior: 14 Centímetro --> 0.14 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del rectángulo inferior: 4.7 Centímetro --> 0.047 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b)) --> ((0.00062*1.005)/(0.04*0.25))*(ln(0.14/0.047)/(0.14-0.047))

Evaluar ... ...

R = 0.731301530002495

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.731301530002495 Ohm --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.731301530002495 ≈ 0.731302 Ohm <-- Resistencia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

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Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Resistencia del paralelepípedo rectangular Fórmula

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