Resistenza del parallelepipedo rettangolare calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

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Trigger di Schmitt

✖La resistività è definita come la resistenza offerta al flusso di corrente da un conduttore di lunghezza unitaria avente un'area unitaria di sezione trasversale.ⓘ Resistività [ρ]			+10% -10%
✖Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.ⓘ Spessore dello strato [t]			+10% -10%
✖La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.ⓘ Larghezza dello strato diffuso [W]			+10% -10%
✖La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.ⓘ Lunghezza dello strato diffuso [L]			+10% -10%
✖La larghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più corto del rettangolo.ⓘ Larghezza del rettangolo inferiore [a]			+10% -10%
✖La lunghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più lungo del rettangolo.ⓘ Lunghezza del rettangolo inferiore [b]			+10% -10%

✖La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.ⓘ Resistenza del parallelepipedo rettangolare [R]

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Formula

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Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Formula

`"R" = (("ρ"*"t")/("W"*"L"))*(ln("a"/"b")/("a"-"b"))`

Esempio

`"0.731302Ω"=(("0.062Ω*cm"*"100.5cm")/("4cm"*"25cm"))*(ln("14cm"/"4.7cm")/("14cm"-"4.7cm"))`

Calcolatrice

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Resistenza del parallelepipedo rettangolare Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 7 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.
Resistività - (Misurato in Ohm Metro) - La resistività è definita come la resistenza offerta al flusso di corrente da un conduttore di lunghezza unitaria avente un'area unitaria di sezione trasversale.
Spessore dello strato - (Misurato in metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.
Larghezza dello strato diffuso - (Misurato in metro) - La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.
Lunghezza dello strato diffuso - (Misurato in metro) - La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.
Larghezza del rettangolo inferiore - (Misurato in metro) - La larghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più corto del rettangolo.
Lunghezza del rettangolo inferiore - (Misurato in metro) - La lunghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più lungo del rettangolo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistività: 0.062 Ohm Centimetro --> 0.00062 Ohm Metro (Controlla la conversione qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza dello strato diffuso: 4 Centimetro --> 0.04 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza dello strato diffuso: 25 Centimetro --> 0.25 metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza del rettangolo inferiore: 14 Centimetro --> 0.14 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del rettangolo inferiore: 4.7 Centimetro --> 0.047 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b)) --> ((0.00062*1.005)/(0.04*0.25))*(ln(0.14/0.047)/(0.14-0.047))

Valutare ... ...

R = 0.731301530002495

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.731301530002495 Ohm --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.731301530002495 ≈ 0.731302 Ohm <-- Resistenza

(Calcolo completato in 00.006 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

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