Weerstand van rechthoekig parallellepipedum Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Weerstand wordt gedefinieerd als de weerstand die wordt geboden aan de stroom door een geleider met een eenheidslengte en een eenheidsoppervlak van dwarsdoorsnede.ⓘ Weerstand [ρ]			+10% -10%
✖Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.ⓘ Dikte van de laag [t]			+10% -10%
✖De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.ⓘ Breedte van verspreide laag [W]			+10% -10%
✖Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.ⓘ Lengte van de verspreide laag [L]			+10% -10%
✖De breedte van de onderste rechthoek wordt vaak gebruikt om de kortere zijde van de rechthoek te beschrijven.ⓘ Breedte van de onderste rechthoek [a]			+10% -10%
✖Lengte van de onderste rechthoek wordt vaak gebruikt om de langere zijde van de rechthoek te beschrijven.ⓘ Lengte van de onderste rechthoek [b]			+10% -10%

✖Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.ⓘ Weerstand van rechthoekig parallellepipedum [R]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Formule

`"R" = (("ρ"*"t")/("W"*"L"))*(ln("a"/"b")/("a"-"b"))`

Voorbeeld

`"0.731302Ω"=(("0.062Ω*cm"*"100.5cm")/("4cm"*"25cm"))*(ln("14cm"/"4.7cm")/("14cm"-"4.7cm"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 7 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Weerstand - (Gemeten in Ohm) - Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.
Weerstand - (Gemeten in Ohm Meter) - Weerstand wordt gedefinieerd als de weerstand die wordt geboden aan de stroom door een geleider met een eenheidslengte en een eenheidsoppervlak van dwarsdoorsnede.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.
Breedte van verspreide laag - (Gemeten in Meter) - De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.
Lengte van de verspreide laag - (Gemeten in Meter) - Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.
Breedte van de onderste rechthoek - (Gemeten in Meter) - De breedte van de onderste rechthoek wordt vaak gebruikt om de kortere zijde van de rechthoek te beschrijven.
Lengte van de onderste rechthoek - (Gemeten in Meter) - Lengte van de onderste rechthoek wordt vaak gebruikt om de langere zijde van de rechthoek te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Weerstand: 0.062 Ohm Centimeter --> 0.00062 Ohm Meter (Bekijk de conversie hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie hier)
Breedte van verspreide laag: 4 Centimeter --> 0.04 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de verspreide laag: 25 Centimeter --> 0.25 Meter (Bekijk de conversie hier)
Breedte van de onderste rechthoek: 14 Centimeter --> 0.14 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de onderste rechthoek: 4.7 Centimeter --> 0.047 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b)) --> ((0.00062*1.005)/(0.04*0.25))*(ln(0.14/0.047)/(0.14-0.047))

Evalueren ... ...

R = 0.731301530002495

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.731301530002495 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.731301530002495 ≈ 0.731302 Ohm <-- Weerstand

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!