Сопротивление прямоугольного параллелепипеда Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
В этой формуле используются 1 Функции, 7 Переменные
Используемые функции
ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию e, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)
Используемые переменные
Сопротивление - (Измеряется в ом) - Сопротивление – это свойство материала, ограничивающее поток электрического тока.
Удельное сопротивление - (Измеряется в Ом метр) - Удельное сопротивление определяется как сопротивление, оказываемое току проводником единичной длины и единичной площади поперечного сечения.
Толщина слоя - (Измеряется в метр) - Толщина слоя часто используется при изготовлении литых деталей, чтобы гарантировать, что конструкция стены спроектирована с использованием нужного количества материала.
Ширина диффузного слоя - (Измеряется в метр) - Ширина рассеянного слоя — это горизонтальное расстояние, измеренное из стороны в сторону определенного типа носителя.
Длина диффузного слоя - (Измеряется в метр) - Длина рассеянного слоя — это измеренное расстояние от одного конца до другого более длинной или самой длинной стороны объекта.
Ширина нижнего прямоугольника - (Измеряется в метр) - Ширина нижнего прямоугольника часто используется для описания более короткой стороны прямоугольника.
Длина нижнего прямоугольника - (Измеряется в метр) - Длина нижнего прямоугольника часто используется для описания более длинной стороны прямоугольника.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Удельное сопротивление: 0.062 Ом Сантиметр --> 0.00062 Ом метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Толщина слоя: 100.5 сантиметр --> 1.005 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина диффузного слоя: 4 сантиметр --> 0.04 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина диффузного слоя: 25 сантиметр --> 0.25 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина нижнего прямоугольника: 14 сантиметр --> 0.14 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина нижнего прямоугольника: 4.7 сантиметр --> 0.047 метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b)) --> ((0.00062*1.005)/(0.04*0.25))*(ln(0.14/0.047)/(0.14-0.047))
Оценка ... ...
R = 0.731301530002495
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.731301530002495 ом --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.731301530002495 0.731302 ом <-- Сопротивление
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Рахул Гупта
Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб
Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Ритвик Трипати
Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор
Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда
​ Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))
Атомы примеси на единицу площади
​ Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))
Проводимость N-типа
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
Проводимость P-типа
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)
Омическая проводимость примесей
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
Коллекторный ток PNP-транзистора
​ Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина
Ток насыщения в транзисторе
​ Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия
​ Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)
Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания
​ Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов
Листовое сопротивление слоя
​ Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)
Плотность тока Отверстие
​ Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)
Сопротивление диффузного слоя
​ Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))
Примеси с собственной концентрацией
​ Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
Эффективность впрыска эмиттера
​ Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
​ Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)
Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования
​ Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)
Ток, текущий в стабилитроне
​ Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера
Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах
​ Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение
Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины
​ Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда формула

Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!