Calculadora Resistencia laminar de la capa

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Fabricación de circuitos integrados bipolares

Fabricación de circuitos integrados MOS

Schmitt Trigger

✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q]			+10% -10%
✖La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del silicio con dopaje electrónico [μ_n]			+10% -10%
✖La concentración de equilibrio del tipo N es igual a la densidad de los átomos donantes porque los electrones para la conducción los proporciona únicamente el átomo donante.ⓘ Concentración de equilibrio de tipo N [N_d]			+10% -10%
✖El espesor de capa se utiliza a menudo para fabricar piezas fundidas para garantizar que la estructura de la pared esté diseñada con la cantidad justa de material.ⓘ Grosor de la capa [t]			+10% -10%

✖La resistencia de la lámina es la resistencia de una pieza cuadrada de un material delgado con contactos realizados en dos lados opuestos del cuadrado.ⓘ Resistencia laminar de la capa [R_s]

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Fórmula

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Resistencia laminar de la capa

Fórmula

`"R"_{"s"} = 1/("q"*"μ"_{"n"}*"N"_{"d"}*"t")`

Ejemplo

`"0.116377Ω"=1/("5mC"*"0.38cm²/V*s"*"45/cm³"*"100.5cm")`

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Resistencia laminar de la capa Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Resistencia de la hoja - (Medido en Ohm) - La resistencia de la lámina es la resistencia de una pieza cuadrada de un material delgado con contactos realizados en dos lados opuestos del cuadrado.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Movilidad del silicio con dopaje electrónico - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico.
Concentración de equilibrio de tipo N - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de equilibrio del tipo N es igual a la densidad de los átomos donantes porque los electrones para la conducción los proporciona únicamente el átomo donante.
Grosor de la capa - (Medido en Metro) - El espesor de capa se utiliza a menudo para fabricar piezas fundidas para garantizar que la estructura de la pared esté diseñada con la cantidad justa de material.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Movilidad del silicio con dopaje electrónico: 0.38 centímetro cuadrado por segundo voltio --> 3.8E-05 Metro cuadrado por voltio por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración de equilibrio de tipo N: 45 1 por centímetro cúbico --> 45000000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Grosor de la capa: 100.5 Centímetro --> 1.005 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

Evaluar ... ...

R_s = 0.116377178435309

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.116377178435309 Ohm --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.116377178435309 ≈ 0.116377 Ohm <-- Resistencia de la hoja

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

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Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Capacitancia de base de colector

Vamos Capacitancia de la base del colector = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa)))

Corriente del colector dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente de colector en BJT = Ratio de transferencia actual*Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Vamos Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente del emisor dada la tensión base-emisor

Vamos Corriente del emisor = Corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje base del emisor)/([BoltZ]*Impureza de temperatura)-1))

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Tiempo de tránsito del transistor PNP

Vamos Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)

Resistencia laminar de la capa Fórmula

Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)

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