Resistenza del foglio dello strato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza del foglio - (Misurato in Ohm) - La resistenza del foglio è la resistenza di un pezzo quadrato di materiale sottile con contatti effettuati su due lati opposti del quadrato.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di equilibrio di tipo N - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.
Spessore dello strato - (Misurato in Metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di equilibrio di tipo N: 45 1 per centimetro cubo --> 45000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rs = 1/(q*μn*Nd*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)
Valutare ... ...
Rs = 0.116377178435309
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.116377178435309 Ohm --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.116377178435309 0.116377 Ohm <-- Resistenza del foglio
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta LinkedIn Logo
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh LinkedIn Logo
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Resistenza del foglio dello strato Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!