Velweerstand van laag Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Elektronendoping Siliciummobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.ⓘ Evenwichtsconcentratie van N-type [N_d]			+10% -10%
✖Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.ⓘ Dikte van de laag [t]			+10% -10%

✖Plaatweerstand is de weerstand van een vierkant stuk dun materiaal met contacten aan twee tegenoverliggende zijden van het vierkant.ⓘ Velweerstand van laag [R_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Velweerstand van laag

Formule

`"R"_{"s"} = 1/("q"*"μ"_{"n"}*"N"_{"d"}*"t")`

Voorbeeld

`"0.116377Ω"=1/("5mC"*"0.38cm²/V*s"*"45/cm³"*"100.5cm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Velweerstand van laag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Bladweerstand - (Gemeten in Ohm) - Plaatweerstand is de weerstand van een vierkant stuk dun materiaal met contacten aan twee tegenoverliggende zijden van het vierkant.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Evenwichtsconcentratie van N-type - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Evenwichtsconcentratie van N-type: 45 1 per kubieke centimeter --> 45000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

Evalueren ... ...

R_s = 0.116377178435309

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.116377178435309 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.116377178435309 ≈ 0.116377 Ohm <-- Bladweerstand

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Velweerstand van laag

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Velweerstand van laag Formule

Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!