Calculadora Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

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✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de transición [W]			+10% -10%
✖La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.ⓘ Longitud de la fuente [D_s]			+10% -10%

✖El perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral se define como el perímetro de difusión de la fuente sin incluir el borde debajo de la compuerta.ⓘ Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión [P_s]

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Fórmula

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Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Fórmula

`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Ejemplo

`"301.64mm"=(2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

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Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral - (Medido en Metro) - El perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral se define como el perímetro de difusión de la fuente sin incluir el borde debajo de la compuerta.
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.
Longitud de la fuente - (Medido en Metro) - La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de transición: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la fuente: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Evaluar ... ...

P_s = 0.30164

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.30164 Metro -->301.64 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

301.64 Milímetro <-- Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión Fórmula

Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

¿Qué es el modelo de capacitancia de difusión MOS?

La unión p-n entre la fuente de difusión y el cuerpo contribuye con la capacitancia parásita en la región de agotamiento. La capacitancia depende tanto del área AS como del perímetro de la pared lateral PS de la región de difusión de la fuente. Debido a que el grosor de la región de agotamiento depende de las condiciones de polarización, estos parásitos no son lineales.

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