Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source Calculatrice

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✖La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.ⓘ Largeur de transition [W]			+10% -10%
✖La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.ⓘ Longueur de la source [D_s]			+10% -10%

✖Le périmètre de diffusion de la source sur la paroi latérale est défini comme le périmètre de diffusion de la source n'incluant pas le bord sous la grille.ⓘ Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source [P_s]

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Formule

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Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Formule

`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Exemple

`"301.64mm"=(2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

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Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source - (Mesuré en Mètre) - Le périmètre de diffusion de la source sur la paroi latérale est défini comme le périmètre de diffusion de la source n'incluant pas le bord sous la grille.
Largeur de transition - (Mesuré en Mètre) - La largeur de transition est définie comme l'augmentation de la largeur lorsque la tension drain-source augmente, ce qui entraîne la transition de la région triode vers la région de saturation.
Longueur de la source - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la source est définie comme la longueur totale observée à la jonction source du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de transition: 89.82 Millimètre --> 0.08982 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la source: 61 Millimètre --> 0.061 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Évaluer ... ...

P_s = 0.30164

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.30164 Mètre -->301.64 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

301.64 Millimètre <-- Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques des circuits CMOS » Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source Formule

Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

Qu'est-ce que le modèle de capacité de diffusion MOS ?

La jonction p – n entre la source de diffusion et le corps contribue à la capacité parasite dans la région d'appauvrissement. La capacité dépend à la fois de la surface AS et du périmètre PS de la paroi latérale de la région de diffusion de la source. Étant donné que l'épaisseur de la région d'appauvrissement dépend des conditions de polarisation, ces parasites ne sont pas linéaires.

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