Seitenwandumfang der Quelldiffusion Taschenrechner

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CMOS-Zeiteigenschaften

✖Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.ⓘ Übergangsbreite [W]			+10% -10%
✖Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.ⓘ Länge der Quelle [D_s]			+10% -10%

✖Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.ⓘ Seitenwandumfang der Quelldiffusion [P_s]

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Formel

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Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Formel

`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Beispiel

`"301.64mm"= (2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

Taschenrechner

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Seitenwandumfang der Quelldiffusion Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Seitenwandumfang der Quellendiffusion - (Gemessen in Meter) - Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.
Übergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite ist definiert als die Zunahme der Breite, wenn die Drain-Source-Spannung zunimmt, was dazu führt, dass der Triodenbereich in den Sättigungsbereich übergeht.
Länge der Quelle - (Gemessen in Meter) - Die Länge der Quelle ist definiert als die Gesamtlänge, die am Quellenübergang des MOSFET beobachtet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Übergangsbreite: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge der Quelle: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Auswerten ... ...

P_s = 0.30164

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.30164 Meter -->301.64 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

301.64 Millimeter <-- Seitenwandumfang der Quellendiffusion

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Eigenschaften der CMOS-Schaltung Taschenrechner

Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Seitenwandumfang der Quelldiffusion Formel

Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

Was ist das MOS-Diffusionskapazitätsmodell?

Der pn-Übergang zwischen der Source-Diffusion und dem Körper trägt zur parasitären Kapazität über dem Verarmungsbereich bei. Die Kapazität hängt sowohl von der Fläche AS als auch dem Seitenwandumfang PS des Source-Diffusionsgebiets ab. Da die Dicke des Verarmungsbereichs von den Vorspannungsbedingungen abhängt, sind diese Parasiten nichtlinear.

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