Calculadora Potencia total suministrada en NMOS

✖El voltaje de suministro es el nivel de voltaje suministrado a un dispositivo electrónico y es un parámetro crítico que afecta el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.ⓘ Voltaje de suministro [V_dd]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Drenar corriente en NMOS [I_d]			+10% -10%
✖La corriente es el valor RMS de las corrientes que pasan a través de los MOSFET de tipo n en un circuito de estado combinado.ⓘ Actual [I]			+10% -10%

✖La energía suministrada se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, desde alimentar pequeños dispositivos electrónicos hasta proporcionar electricidad a grandes sistemas y maquinaria industrial.ⓘ Potencia total suministrada en NMOS [P_S]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Potencia total suministrada en NMOS

Fórmula

`"P"_{"S"} = "V"_{"dd"}*("I"_{"d"}+"I")`

Ejemplo

`"1464mW"="6V"*("239mA"+"5mA")`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Potencia total suministrada en NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)
P_S = V_dd*(I_d+I)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Energía suministrada - (Medido en Vatio) - La energía suministrada se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, desde alimentar pequeños dispositivos electrónicos hasta proporcionar electricidad a grandes sistemas y maquinaria industrial.
Voltaje de suministro - (Medido en Voltio) - El voltaje de suministro es el nivel de voltaje suministrado a un dispositivo electrónico y es un parámetro crítico que afecta el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
Drenar corriente en NMOS - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje en NMOS es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Actual - (Medido en Amperio) - La corriente es el valor RMS de las corrientes que pasan a través de los MOSFET de tipo n en un circuito de estado combinado.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de suministro: 6 Voltio --> 6 Voltio No se requiere conversión
Drenar corriente en NMOS: 239 Miliamperio --> 0.239 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Actual: 5 Miliamperio --> 0.005 Amperio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

P_S = V_dd*(I_d+I) --> 6*(0.239+0.005)

Evaluar ... ...

P_S = 1.464

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.464 Vatio -->1464 milivatio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1464 milivatio <-- Energía suministrada

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Mejora del canal N » Potencia total suministrada en NMOS

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 17 Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)

Efecto corporal en NMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

NMOS como resistencia lineal

Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))

Drenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2

Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

Vamos Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido

Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2

Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS

Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Potencia total suministrada en NMOS

Vamos Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)

Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje

Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal

La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto

Potencia total disipada en NMOS

Vamos Potencia disipada = Drenar corriente en NMOS^2*Resistencia del canal ON

Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS

Vamos Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal

Capacitancia de óxido de NMOS

Vamos Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido

Potencia total suministrada en NMOS Fórmula

Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)
P_S = V_dd*(I_d+I)

¿Qué es el poder disipado?

La definición de disipación de energía es el proceso por el cual un dispositivo electrónico o eléctrico produce calor (pérdida o desperdicio de energía) como un derivado indeseable de su acción primaria. Como ocurre con las unidades centrales de procesamiento, la disipación de energía es una preocupación principal en la arquitectura de la computadora. Además, la disipación de potencia en resistencias se considera un fenómeno natural. El hecho es que todas las resistencias que forman parte de un circuito y tienen una caída de voltaje en ellas disiparán la energía eléctrica. Además, esta energía eléctrica se convierte en energía térmica y, por lo tanto, todas las resistencias tienen una clasificación (de potencia). Además, la potencia nominal de una resistencia es una clasificación que parametriza la potencia máxima que puede disipar antes de que alcance una falla crítica.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!