Całkowita moc dostarczona w NMOS Kalkulator

✖Napięcie zasilania to poziom napięcia dostarczanego do urządzenia elektronicznego i jest to krytyczny parametr wpływający na wydajność i niezawodność urządzenia.ⓘ Napięcie zasilania [V_dd]			+10% -10%
✖Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).ⓘ Prąd spustowy w NMOS [I_d]			+10% -10%
✖Prąd to wartość RMS prądów przepływających przez tranzystory MOSFET typu n w połączonym obwodzie.ⓘ Aktualny [I]			+10% -10%

✖Zasilacze są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, od zasilania małych urządzeń elektronicznych po dostarczanie energii elektrycznej do dużych maszyn i systemów przemysłowych.ⓘ Całkowita moc dostarczona w NMOS [P_S]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Formuła

`"P"_{"S"} = "V"_{"dd"}*("I"_{"d"}+"I")`

Przykład

`"1464mW"="6V"*("239mA"+"5mA")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Całkowita moc dostarczona w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)
P_S = V_dd*(I_d+I)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Dostarczone zasilanie - (Mierzone w Wat) - Zasilacze są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, od zasilania małych urządzeń elektronicznych po dostarczanie energii elektrycznej do dużych maszyn i systemów przemysłowych.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania to poziom napięcia dostarczanego do urządzenia elektronicznego i jest to krytyczny parametr wpływający na wydajność i niezawodność urządzenia.
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Aktualny - (Mierzone w Amper) - Prąd to wartość RMS prądów przepływających przez tranzystory MOSFET typu n w połączonym obwodzie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie zasilania: 6 Wolt --> 6 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy w NMOS: 239 Miliamper --> 0.239 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Aktualny: 5 Miliamper --> 0.005 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

P_S = V_dd*(I_d+I) --> 6*(0.239+0.005)

Ocenianie ... ...

P_S = 1.464

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.464 Wat -->1464 Miliwat (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1464 Miliwat <-- Dostarczone zasilanie

(Obliczenie zakończone za 00.021 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Całkowita moc dostarczona w NMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Całkowita moc dostarczona w NMOS Formułę

Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)
P_S = V_dd*(I_d+I)

Czym jest rozpraszana moc?

Definicja rozpraszania mocy to proces, w którym urządzenie elektroniczne lub elektryczne wytwarza ciepło (straty lub straty energii) jako niepożądaną pochodną swojego pierwotnego działania. Tak jak w przypadku jednostek centralnych, rozpraszanie mocy jest głównym problemem w architekturze komputera. Ponadto rozpraszanie mocy w rezystorach jest uważane za zjawisko występujące naturalnie. Faktem jest, że wszystkie rezystory, które są częścią obwodu i mają spadek napięcia na nich, rozpraszają energię elektryczną. Ponadto ta moc elektryczna przekształca się w energię cieplną, a zatem wszystkie rezystory mają wartość znamionową (moc). Ponadto moc znamionowa rezystora jest klasyfikacją, która parametryzuje maksymalną moc, jaką może on rozproszyć, zanim osiągnie krytyczną awarię.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!