Calculadora Ángulo de tránsito

✖La frecuencia angular se refiere a la velocidad a la que oscila una forma de onda sinusoidal en el contexto de circuitos y señales eléctricos.ⓘ Frecuencia angular [ω]			+10% -10%
✖La longitud del espacio de deriva se refiere a la región donde las partículas cargadas (electrones o iones) se mueven libremente bajo la influencia de un campo eléctrico o magnético.ⓘ Longitud del espacio de deriva [L]			+10% -10%
✖La velocidad de deriva del portador se refiere a la velocidad promedio con la que los portadores de carga se mueven a través de un medio conductor en respuesta a un campo eléctrico aplicado.ⓘ Velocidad de deriva del portador [V_d]			+10% -10%

✖El ángulo de tránsito se refiere al tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en viajar a través de un dispositivo semiconductor.ⓘ Ángulo de tránsito [θ_t]

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Fórmula

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Ángulo de tránsito

Fórmula

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Ejemplo

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

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Ángulo de tránsito Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador
θ_t = ω*L/V_d
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Ángulo de tránsito - (Medido en Radián) - El ángulo de tránsito se refiere al tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en viajar a través de un dispositivo semiconductor.
Frecuencia angular - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia angular se refiere a la velocidad a la que oscila una forma de onda sinusoidal en el contexto de circuitos y señales eléctricos.
Longitud del espacio de deriva - (Medido en Metro) - La longitud del espacio de deriva se refiere a la región donde las partículas cargadas (electrones o iones) se mueven libremente bajo la influencia de un campo eléctrico o magnético.
Velocidad de deriva del portador - (Medido en Voltio) - La velocidad de deriva del portador se refiere a la velocidad promedio con la que los portadores de carga se mueven a través de un medio conductor en respuesta a un campo eléctrico aplicado.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Frecuencia angular: 53.25 radianes por segundo --> 53.25 radianes por segundo No se requiere conversión
Longitud del espacio de deriva: 3.57 Metro --> 3.57 Metro No se requiere conversión
Velocidad de deriva del portador: 6.435 Voltio --> 6.435 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Evaluar ... ...

θ_t = 29.541958041958

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

29.541958041958 Radián --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

29.541958041958 ≈ 29.54196 Radián <-- Ángulo de tránsito

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación

Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganar factor de degradación para MESFET

Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Factor de ruido GaAs MESFET

Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)

Frecuencia máxima de funcionamiento

Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Potencia máxima permitida

Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Ángulo de tránsito

Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador

Frecuencia de corte MESFET

Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Ángulo de tránsito Fórmula

Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador
θ_t = ω*L/V_d

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