Transconductancia en la región de saturación en MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Transconductancia del MESFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Conductancia de salida - (Medido en Siemens) - La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.
Voltaje de pellizco - (Medido en Voltio) - El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Conductancia de salida: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.25 Voltio --> 2.25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 1.562 Voltio --> 1.562 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de pellizco: 2.01 Voltio --> 2.01 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))
Evaluar ... ...
Gm = 0.0630717433777618
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.0630717433777618 Siemens --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.0630717433777618 0.063072 Siemens <-- Transconductancia del MESFET
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Amplificadores de transistores Calculadoras

Frecuencia máxima de funcionamiento
​ Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))
Transconductancia en la región de saturación en MESFET
​ Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
Frecuencia de corte MESFET
​ Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)
Frecuencia máxima de oscilación
​ Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula

Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
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