Calculadora Transconductancia en la región de saturación en MESFET

✖La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.ⓘ Conductancia de salida [g₀]			+10% -10%
✖El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.ⓘ Voltaje de entrada [V_i]			+10% -10%
✖El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.ⓘ Voltaje umbral [V_G]			+10% -10%
✖El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".ⓘ Voltaje de pellizco [V_p]			+10% -10%

✖La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.ⓘ Transconductancia en la región de saturación en MESFET [G_m]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Fórmula

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Ejemplo

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Dispositivos semiconductores de microondas Fórmula PDF PDF Image

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Transconductancia del MESFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Conductancia de salida - (Medido en Siemens) - La conductancia de salida es un parámetro que caracteriza el comportamiento de un transistor de efecto de campo (FET) en su región de saturación.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es la diferencia de potencial eléctrico aplicada a los terminales de entrada de un componente o sistema.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral se refiere al voltaje al cual el transistor comienza a conducir.
Voltaje de pellizco - (Medido en Voltio) - El voltaje de pellizco representa el voltaje de fuente de puerta al cual el canal del MESFET se cierra o "se pellizca".

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Conductancia de salida: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.25 Voltio --> 2.25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 1.562 Voltio --> 1.562 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de pellizco: 2.01 Voltio --> 2.01 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Evaluar ... ...

G_m = 0.0630717433777618

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0630717433777618 Siemens --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transconductancia del MESFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Teoría de microondas » Dispositivos semiconductores de microondas » Amplificadores de transistores » Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 10+ Amplificadores de transistores Calculadoras

Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación

Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganar factor de degradación para MESFET

Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Factor de ruido GaAs MESFET

Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)

Frecuencia máxima de funcionamiento

Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Potencia máxima permitida

Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Ángulo de tránsito

Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador

Frecuencia de corte MESFET

Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Transconductancia en la región de saturación en MESFET Fórmula

Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!