Calculadora A a Z
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✖
La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
ⓘ
Transconductancia del MESFET [G
m
]
Abmho
Amperio/Voltio
Gemmho
Gigasiemens
kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
milisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Conductancia Hall cuantificada
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
ⓘ
Capacitancia de la fuente de puerta [C
gs
]
Abfaradio
attofarad
Centifaradio
Culombio/Voltio
decafaradio
decifaradio
UEM de Capacitancia
ESU de Capacitancia
Exafaradio
Faradio
Femtofaradio
Gigafaradio
hectofaradio
kilofaradio
Megafaradio
Microfaradio
milifaradio
Nanofaradio
Petafaradio
Picofaradio
Statfaradio
Terafaradio
+10%
-10%
✖
La frecuencia de corte de MESFET representa la frecuencia a la que la ganancia actual (o transconductancia) del transistor comienza a disminuir significativamente.
ⓘ
Frecuencia de corte MESFET [f
co
]
attohercios
Latidos/minuto
centihercios
Ciclo/Segundo
decahercios
decihercios
Exahertz
Femtohertz
Cuadros por segundo
gigahercios
hectohercio
hercios
Kilohercio
Megahercio
microhercios
milihercios
nanohercios
Petahertz
Picohertz
Revolución por día
Revolución por hora
Revolución por minuto
Revolución por segundo
Terahercios
Yottahercios
Zettahercios
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Pasos
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Fórmula
✖
Frecuencia de corte MESFET
Fórmula
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Ejemplo
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Calculadora
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Descargar Dispositivos semiconductores de microondas Fórmula PDF
Frecuencia de corte MESFET Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Frecuencia de corte MESFET
=
Transconductancia del MESFET
/(2*
pi
*
Capacitancia de la fuente de puerta
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Esta fórmula usa
1
Constantes
,
3
Variables
Constantes utilizadas
pi
- La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilizadas
Frecuencia de corte MESFET
-
(Medido en hercios)
- La frecuencia de corte de MESFET representa la frecuencia a la que la ganancia actual (o transconductancia) del transistor comienza a disminuir significativamente.
Transconductancia del MESFET
-
(Medido en Siemens)
- La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Capacitancia de la fuente de puerta
-
(Medido en Faradio)
- La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Transconductancia del MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens No se requiere conversión
Capacitancia de la fuente de puerta:
56 Microfaradio --> 5.6E-05 Faradio
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Evaluar ... ...
f
co
= 179.253938762358
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
179.253938762358 hercios --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
179.253938762358
≈
179.2539 hercios
<--
Frecuencia de corte MESFET
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Frecuencia de corte MESFET
Créditos
Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio
(hitk)
,
Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
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10+ Amplificadores de transistores Calculadoras
Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación
Vamos
Ganancia de potencia del convertidor reductor
=
Frecuencia de señal
/
Frecuencia de salida
*(
Frecuencia de señal
/
Frecuencia de salida
*(
Figura de mérito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frecuencia de señal
/
Frecuencia de salida
*(
Figura de mérito
)^2)))^2
Ganar factor de degradación para MESFET
Vamos
Ganar factor de degradación
=
Frecuencia de salida
/
Frecuencia de señal
*(
Frecuencia de señal
/
Frecuencia de salida
*(
Figura de mérito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frecuencia de señal
/
Frecuencia de salida
*(
Figura de mérito
)^2)))^2
Factor de ruido GaAs MESFET
Vamos
factor de ruido
= 1+2*
Frecuencia angular
*
Capacitancia de la fuente de puerta
/
Transconductancia del MESFET
*
sqrt
((
Resistencia de la fuente
-
Resistencia de la puerta
)/
Resistencia de entrada
)
Frecuencia máxima de funcionamiento
Vamos
Frecuencia máxima de funcionamiento
=
Frecuencia de corte MESFET
/2*
sqrt
(
Resistencia al drenaje
/(
Resistencia de la fuente
+
Resistencia de entrada
+
Resistencia a la metalización de la puerta
))
Potencia máxima permitida
Vamos
Potencia máxima permitida
= 1/(
Resistencia reactiva
*
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito
^2)*(
Campo eléctrico máximo
*
Velocidad máxima de deriva de saturación
/(2*
pi
))^2
Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas
Vamos
Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas
= (
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito
/
Frecuencia de ganancia de potencia
)^2*
Impedancia de salida
/
Impedencia de entrada
Transconductancia en la región de saturación en MESFET
Vamos
Transconductancia del MESFET
=
Conductancia de salida
*(1-
sqrt
((
Voltaje de entrada
-
Voltaje umbral
)/
Voltaje de pellizco
))
Ángulo de tránsito
Vamos
Ángulo de tránsito
=
Frecuencia angular
*
Longitud del espacio de deriva
/
Velocidad de deriva del portador
Frecuencia de corte MESFET
Vamos
Frecuencia de corte MESFET
=
Transconductancia del MESFET
/(2*
pi
*
Capacitancia de la fuente de puerta
)
Frecuencia máxima de oscilación
Vamos
Frecuencia máxima de oscilación
=
Velocidad de saturación
/(2*
pi
*
Longitud del canal
)
Frecuencia de corte MESFET Fórmula
Frecuencia de corte MESFET
=
Transconductancia del MESFET
/(2*
pi
*
Capacitancia de la fuente de puerta
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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