Frecuencia máxima de funcionamiento Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Frecuencia máxima de funcionamiento - (Medido en hercios) - La frecuencia operativa máxima se refiere a la frecuencia más alta a la que el dispositivo puede operar y realizar de manera confiable las funciones previstas.
Frecuencia de corte MESFET - (Medido en hercios) - La frecuencia de corte de MESFET representa la frecuencia a la que la ganancia actual (o transconductancia) del transistor comienza a disminuir significativamente.
Resistencia al drenaje - (Medido en Ohm) - La resistencia de drenaje es la resistencia equivalente vista por el terminal de drenaje de un FET.
Resistencia de la fuente - (Medido en Ohm) - La resistencia de fuente se refiere a la resistencia asociada con el terminal de fuente del transistor.
Resistencia de entrada - (Medido en Ohm) - La resistencia de entrada se refiere a la resistencia presentada al terminal de entrada del dispositivo.
Resistencia a la metalización de la puerta - (Medido en Ohm) - La resistencia a la metalización de la puerta es la resistencia asociada con el contacto metálico o la capa de metalización en el terminal de la puerta de un MESFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia de corte MESFET: 6252.516 hercios --> 6252.516 hercios No se requiere conversión
Resistencia al drenaje: 3.2 Ohm --> 3.2 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de la fuente: 5 Ohm --> 5 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de entrada: 4 Ohm --> 4 Ohm No se requiere conversión
Resistencia a la metalización de la puerta: 5.254 Ohm --> 5.254 Ohm No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg)) --> 6252.516/2*sqrt(3.2/(5+4+5.254))
Evaluar ... ...
fmax = 1481.26045269158
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1481.26045269158 hercios --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1481.26045269158 1481.26 hercios <-- Frecuencia máxima de funcionamiento
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

10+ Amplificadores de transistores Calculadoras

Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación
​ Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2
Ganar factor de degradación para MESFET
​ Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2
Factor de ruido GaAs MESFET
​ Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)
Frecuencia máxima de funcionamiento
​ Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))
Potencia máxima permitida
​ Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2
Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas
​ Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada
Transconductancia en la región de saturación en MESFET
​ Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
Ángulo de tránsito
​ Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador
Frecuencia de corte MESFET
​ Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)
Frecuencia máxima de oscilación
​ Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Frecuencia máxima de funcionamiento Fórmula

Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
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