Angolo di transito calcolatrice

✖La frequenza angolare si riferisce alla velocità con cui una forma d'onda sinusoidale oscilla nel contesto di circuiti e segnali elettrici.ⓘ Frequenza angolare [ω]			+10% -10%
✖La lunghezza dello spazio alla deriva si riferisce alla regione in cui le particelle cariche (elettroni o ioni) si muovono liberamente sotto l'influenza di un campo elettrico o magnetico.ⓘ Lunghezza dello spazio di deriva [L]			+10% -10%
✖La velocità di deriva dei portatori si riferisce alla velocità media con cui i portatori di carica si muovono attraverso un mezzo conduttore in risposta a un campo elettrico applicato.ⓘ Velocità di deriva del portatore [V_d]			+10% -10%

✖L'angolo di transito si riferisce al tempo impiegato dai portatori di carica (elettroni o lacune) per viaggiare attraverso un dispositivo a semiconduttore.ⓘ Angolo di transito [θ_t]

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Formula

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Angolo di transito

Formula

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Esempio

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

Calcolatrice

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Angolo di transito Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore
θ_t = ω*L/V_d
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Angolo di transito - (Misurato in Radiante) - L'angolo di transito si riferisce al tempo impiegato dai portatori di carica (elettroni o lacune) per viaggiare attraverso un dispositivo a semiconduttore.
Frequenza angolare - (Misurato in Radiante al secondo) - La frequenza angolare si riferisce alla velocità con cui una forma d'onda sinusoidale oscilla nel contesto di circuiti e segnali elettrici.
Lunghezza dello spazio di deriva - (Misurato in metro) - La lunghezza dello spazio alla deriva si riferisce alla regione in cui le particelle cariche (elettroni o ioni) si muovono liberamente sotto l'influenza di un campo elettrico o magnetico.
Velocità di deriva del portatore - (Misurato in Volt) - La velocità di deriva dei portatori si riferisce alla velocità media con cui i portatori di carica si muovono attraverso un mezzo conduttore in risposta a un campo elettrico applicato.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza angolare: 53.25 Radiante al secondo --> 53.25 Radiante al secondo Nessuna conversione richiesta
Lunghezza dello spazio di deriva: 3.57 metro --> 3.57 metro Nessuna conversione richiesta
Velocità di deriva del portatore: 6.435 Volt --> 6.435 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Valutare ... ...

θ_t = 29.541958041958

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

29.541958041958 Radiante --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

29.541958041958 ≈ 29.54196 Radiante <-- Angolo di transito

(Calcolo completato in 00.005 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione

Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Ottieni il fattore di degradazione per MESFET

Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Fattore di rumore GaAs MESFET

Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)

Frequenza operativa massima

Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))

Potenza massima consentita

Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2

Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde

Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))

Angolo di transito

Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore

Frequenza di taglio MESFET

Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Frequenza massima di oscillazione

Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Angolo di transito Formula

Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore
θ_t = ω*L/V_d

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