Calculadora Frecuencia máxima de oscilación

✖La velocidad de saturación se refiere a la velocidad máxima alcanzada por los portadores de carga en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.ⓘ Velocidad de saturación [v_s]			+10% -10%
✖La longitud del canal se refiere a la distancia física entre los terminales de fuente y drenaje a lo largo del material semiconductor a través del cual fluye la corriente.ⓘ Longitud del canal [L_c]			+10% -10%

✖La frecuencia máxima de oscilación es un parámetro que caracteriza el rendimiento de alta frecuencia de los dispositivos electrónicos, particularmente en el contexto de aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas.ⓘ Frecuencia máxima de oscilación [f_{max o}]

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Fórmula

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Frecuencia máxima de oscilación

Fórmula

`"f"_{"max o"} = "v"_{"s"}/(2*pi*"L"_{"c"})`

Ejemplo

`"0.252863Hz"="5.1m/s"/(2*pi*"3.21m")`

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Frecuencia máxima de oscilación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilizadas

pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Frecuencia máxima de oscilación - (Medido en hercios) - La frecuencia máxima de oscilación es un parámetro que caracteriza el rendimiento de alta frecuencia de los dispositivos electrónicos, particularmente en el contexto de aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas.
Velocidad de saturación - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de saturación se refiere a la velocidad máxima alcanzada por los portadores de carga en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se refiere a la distancia física entre los terminales de fuente y drenaje a lo largo del material semiconductor a través del cual fluye la corriente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Velocidad de saturación: 5.1 Metro por Segundo --> 5.1 Metro por Segundo No se requiere conversión
Longitud del canal: 3.21 Metro --> 3.21 Metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c) --> 5.1/(2*pi*3.21)

Evaluar ... ...

f_{max o} = 0.252862993697404

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.252862993697404 hercios --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.252862993697404 ≈ 0.252863 hercios <-- Frecuencia máxima de oscilación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación

Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganar factor de degradación para MESFET

Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Factor de ruido GaAs MESFET

Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)

Frecuencia máxima de funcionamiento

Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Potencia máxima permitida

Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Ángulo de tránsito

Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador

Frecuencia de corte MESFET

Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Frecuencia máxima de oscilación Fórmula

Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)

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