La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto
kn = k'p*WL
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS: 2.1 milisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
kn = k'p*WL --> 0.0021*0.1
Evaluar ... ...
kn = 0.00021
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00021 Amperio por voltio cuadrado --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.00021 Amperio por voltio cuadrado <-- Parámetro de transconductancia
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

17 Mejora del canal N Calculadoras

Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS
Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)
Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta
Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje^2)
Terminal de drenaje de entrada actual de NMOS
Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*Voltaje de la fuente de drenaje*(Voltaje de sobremarcha en NMOS-1/2*Voltaje de la fuente de drenaje)
Efecto corporal en NMOS
Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))
NMOS como resistencia lineal
Vamos Resistencia lineal = Longitud del Canal/(Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Capacitancia de óxido*Ancho de canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral))
Drenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje
Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2
Fuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOS
Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)^2
Parámetro del proceso de fabricación de NMOS
Vamos Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido
Fuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectiva
Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de sobremarcha en NMOS)^2
Fuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOS
Vamos Drenar corriente en NMOS = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2
Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS
Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal
Potencia total suministrada en NMOS
Vamos Energía suministrada = Voltaje de suministro*(Drenar corriente en NMOS+Actual)
Resistencia de salida de la fuente de corriente NMOS dada la corriente de drenaje
Vamos Resistencia de salida = Parámetro del dispositivo/Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal
La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje
Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto
Potencia total disipada en NMOS
Vamos Potencia disipada = Drenar corriente en NMOS^2*Resistencia del canal ON
Voltaje positivo dada la longitud del canal en NMOS
Vamos Voltaje = Parámetro del dispositivo*Longitud del Canal
Capacitancia de óxido de NMOS
Vamos Capacitancia de óxido = (3.45*10^(-11))/Espesor de óxido

La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje Fórmula

Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto
kn = k'p*WL

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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