Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
kn = k'p*WL
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.
Paramètre de transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre de transconductance de processus dans PMOS: 2.1 millisiemens --> 0.0021 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
kn = k'p*WL --> 0.0021*0.1
Évaluer ... ...
kn = 0.00021
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00021 Ampère par volt carré --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.00021 Ampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
Effet corporel dans NMOS
Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))
Courant entrant dans la borne de drain de NMOS
Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)
NMOS comme résistance linéaire
Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension
Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2
Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS
Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2
Paramètre de processus de fabrication de NMOS
Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde
Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective
Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2
Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS
Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
Puissance totale fournie en NMOS
Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)
Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current
Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension
Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
Puissance totale dissipée dans NMOS
Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS
Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal
Capacité d'oxyde de NMOS
Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension Formule

Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
kn = k'p*WL

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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