Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL]			+10% -10%

✖Transconductantieparameter is een cruciale parameter in elektronische apparaten en circuits, die helpt bij het beschrijven en kwantificeren van de input-outputrelatie tussen spanning en stroom.ⓘ Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron [k_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Formule

`"k"_{"n"} = "k'"_{"p"}*"WL"`

Voorbeeld

`"0.00021A/V²"="2.1mS"*"0.1"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding
k_n = k'_p*WL
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductantieparameter is een cruciale parameter in elektronische apparaten en circuits, die helpt bij het beschrijven en kwantificeren van de input-outputrelatie tussen spanning en stroom.
Procestransconductantieparameter in PMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Beeldverhouding: 0.1 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

k_n = k'_p*WL --> 0.0021*0.1

Evalueren ... ...

k_n = 0.00021

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00021 Ampère per vierkante volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.00021 Ampère per vierkante volt <-- Transconductantieparameter

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-Channel-verbetering » Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)

Lichaamseffect in NMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)

NMOS als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Fabricageprocesparameter van NMOS

Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Totaal geleverd vermogen in NMOS

Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom

Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS

Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand

Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS

Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS

Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron Formule

Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding
k_n = k'_p*WL

Waar wordt een MOSFET voor gebruikt?

De MOSFET-transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is een halfgeleiderapparaat dat veel wordt gebruikt voor schakeldoeleinden en voor de versterking van elektronische signalen in elektronische apparaten.

Wat zijn de soorten MOSFET's?

Er zijn twee klassen MOSFET's. Er is een uitputtingsmodus en er is een verbeteringsmodus. Elke klasse is beschikbaar als n- of p-kanaal, wat in totaal vier soorten MOSFET's oplevert. Uitputtingsmodus komt in een N of een P en een verbeteringsmodus komt in een N of een P.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!