Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%

✖O parâmetro de transcondutância é um parâmetro crucial em dispositivos e circuitos eletrônicos, que ajuda a descrever e quantificar a relação entrada-saída entre tensão e corrente.ⓘ Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão [k_n]

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Fórmula

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Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Fórmula

`"k"_{"n"} = "k'"_{"p"}*"WL"`

Exemplo

`"0.00021A/V²"="2.1mS"*"0.1"`

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Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela
k_n = k'_p*WL
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Parâmetro de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância é um parâmetro crucial em dispositivos e circuitos eletrônicos, que ajuda a descrever e quantificar a relação entrada-saída entre tensão e corrente.
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

k_n = k'_p*WL --> 0.0021*0.1

Avaliando ... ...

k_n = 0.00021

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00021 Ampère por Volt Quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.00021 Ampère por Volt Quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão Fórmula

Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela
k_n = k'_p*WL

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

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