Calculadora Capacitancia de transición

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Parámetros electrostáticos

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Parámetros de funcionamiento del transistor

✖El área de la placa de unión se define como el área superficial total de las placas de las uniones p y n.ⓘ Área de placa de unión [A_jp]			+10% -10%
✖El ancho de la región de empobrecimiento actúa como una barrera que se opone al flujo de electrones del lado n al lado p del diodo semiconductor.ⓘ Ancho de la región de agotamiento [W_d]			+10% -10%

✖La capacitancia de transición representa el cambio en la carga almacenada en la región de agotamiento con respecto a un cambio en el voltaje de unión.ⓘ Capacitancia de transición [C_T]

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Fórmula

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Capacitancia de transición

Fórmula

`"C"_{"T"} = ("[Permitivity-vacuum]"*"A"_{"jp"})/"W"_{"d"}`

Ejemplo

`"7.643182pF"=("[Permitivity-vacuum]"*"0.019m²")/"22mm"`

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Capacitancia de transición Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de transición = ([Permitivity-vacuum]*Área de placa de unión)/Ancho de la región de agotamiento
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12

Variables utilizadas

Capacitancia de transición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de transición representa el cambio en la carga almacenada en la región de agotamiento con respecto a un cambio en el voltaje de unión.
Área de placa de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la placa de unión se define como el área superficial total de las placas de las uniones p y n.
Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la región de empobrecimiento actúa como una barrera que se opone al flujo de electrones del lado n al lado p del diodo semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Área de placa de unión: 0.019 Metro cuadrado --> 0.019 Metro cuadrado No se requiere conversión
Ancho de la región de agotamiento: 22 Milímetro --> 0.022 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d --> ([Permitivity-vacuum]*0.019)/0.022

Evaluar ... ...

C_T = 7.64318181818182E-12

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.64318181818182E-12 Faradio -->7.64318181818182 Picofaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

7.64318181818182 ≈ 7.643182 Picofaradio <-- Capacitancia de transición

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana

¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Verificada por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

< 14 Parámetros electrostáticos Calculadoras

Sensibilidad de deflexión magnética

Vamos Sensibilidad de desviación magnética = (Longitud de las placas deflectoras*Longitud del tubo de rayos catódicos)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Voltaje del ánodo)))

Sensibilidad a la deflexión electrostática

Vamos Sensibilidad de deflexión electrostática = (Longitud de las placas deflectoras*Longitud del tubo de rayos catódicos)/(2*Distancia entre placas deflectoras*Voltaje del ánodo)

Voltaje de pasillo

Vamos Voltaje de pasillo = ((Intensidad del campo magnético*Corriente eléctrica)/(coeficiente de pasillo*Ancho de Semiconductor))

Radio del electrón en trayectoria circular

Vamos Radio de electrones = ([Mass-e]*Velocidad de electrones)/(Intensidad del campo magnético*[Charge-e])

Capacitancia de transición

Vamos Capacitancia de transición = ([Permitivity-vacuum]*Área de placa de unión)/Ancho de la región de agotamiento

Flujo eléctrico

Vamos Flujo eléctrico = Intensidad de campo eléctrico*Área de superficie*cos(Ángulo)

Velocidad angular de partículas en campo magnético

Vamos Velocidad angular de partículas = (Carga de partículas*Intensidad del campo magnético)/Masa de partículas

Velocidad angular del electrón en el campo magnético

Vamos Velocidad angular del electrón = ([Charge-e]*Intensidad del campo magnético)/[Mass-e]

Intensidad del campo magnético

Vamos Intensidad del campo magnético = Longitud del cable/ (2*pi*Distancia desde el cable)

Aceleración de partículas

Vamos Aceleración de partículas = ([Charge-e]*Intensidad de campo eléctrico)/[Mass-e]

Longitud de trayectoria de la partícula en el plano cicloidal

Vamos Trayectoria cicloidal de partículas = Velocidad del electrón en campos de fuerza/Velocidad angular del electrón

Intensidad del campo eléctrico

Vamos Intensidad de campo eléctrico = Fuerza eléctrica/Carga eléctrica

Densidad de flujo eléctrico

Vamos Densidad de flujo eléctrico = Flujo eléctrico/Área de superficie

Diámetro de cicloide

Vamos Diámetro de cicloide = 2*Trayectoria cicloidal de partículas

Capacitancia de transición Fórmula

Capacitancia de transición = ([Permitivity-vacuum]*Área de placa de unión)/Ancho de la región de agotamiento
C_T = ([Permitivity-vacuum]*A_jp)/W_d

¿Qué quiere decir con capacitancia de transición de un diodo de unión PN?

El diodo de unión PN se puede considerar como un condensador de placas paralelas. La cantidad de capacitancia que cambia con el aumento de voltaje se llama capacitancia de transición. La capacitancia de transición también se conoce como capacitancia de región de empobrecimiento, capacitancia de unión o capacitancia de barrera.

¿Cómo se altera la capacitancia con el voltaje?

Sabemos que capacitancia significa la capacidad de almacenar carga eléctrica. El diodo de unión pn con un ancho de agotamiento estrecho y regiones grandes de tipo p y tipo n almacenará una gran cantidad de carga eléctrica, mientras que el diodo de unión pn con un ancho de agotamiento amplio y regiones pequeñas de tipo p y tipo n almacenará solo una pequeña cantidad de carga eléctrica. Por lo tanto, la capacitancia del diodo de unión pn de polarización inversa disminuye cuando aumenta el voltaje.

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